[發(fā)明專利]一種埋阻金屬箔

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011304672.3
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN114521051A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇陟;高強
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州方邦電子股份有限公司
• 主分類號: H05K1/16
• 分類號: H05K1/16;H05K1/09
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 麥小嬋;郝傳鑫

1.一種埋阻金屬箔，其特征在于，包括阻隔層和埋阻金屬箔本體，所述埋阻金屬箔本體包括電阻層和導(dǎo)電層，所述阻隔層設(shè)于所述電阻層和所述導(dǎo)電層之間，所述導(dǎo)電層鍍設(shè)于所述阻隔層遠離所述電阻層的一面上，所述電阻層上任意一處的預(yù)設(shè)單位面積內(nèi)的阻值公差在-10％～10％的范圍內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述埋阻金屬箔還包括多個導(dǎo)電凸起；

多個所述導(dǎo)電凸起間隔分布在所述電阻層靠近所述阻隔層的一面上或所述導(dǎo)電層靠近所述阻隔層的一面上。

3.如權(quán)利要求2所述的埋阻金屬箔，其特征在于，多個所述導(dǎo)電凸起間隔分布在所述導(dǎo)電層靠近所述阻隔層的一面上，且多個所述導(dǎo)電凸起遠離所述導(dǎo)電層的一端從所述阻隔層伸出并與所述電阻層接觸。

4.如權(quán)利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，多個所述導(dǎo)電凸起為第一金屬顆粒和/或由多個第二金屬顆粒組成的顆粒團簇。

5.如權(quán)利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述埋阻金屬箔還包括介質(zhì)層，所述介質(zhì)層設(shè)于所述電阻層遠離所述阻隔層的一面上。

6.如權(quán)利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述阻隔層包括層疊設(shè)置的耐高溫層和金屬粘結(jié)層；

所述金屬粘結(jié)層設(shè)于所述耐高溫層和所述電阻層之間。

7.如權(quán)利要求6所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述耐高溫層為有機耐高溫層；或，

所述耐高溫層包括鎢、鉻、鋯、鈦、鎳、鉬、鈷和石墨中的任意一種或多種。

8.如權(quán)利要求6所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述耐高溫層為單層合金結(jié)構(gòu)、由單金屬層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)或由合金層與單金屬層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求6所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述金屬粘結(jié)層包括銅、鋅、鎳、鐵和錳中的任意一種或多種。

10.如權(quán)利要求1-9任一項所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度為2微米至20微米。

11.如權(quán)利要求1-9任一項所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導(dǎo)電層包括鋁、銀、銅、金中的任意一種或多種。

12.如權(quán)利要求1-9任一項所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導(dǎo)電層的導(dǎo)電率為所述電阻層的導(dǎo)電率的2-1000倍。

13.如權(quán)利要求1-9任一項所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述電阻層包括鎳、鉻、鉑、鈀、鈦中的任意一種金屬，或者包括鎳、鉻、鉑、鈀、鈦、硅中至少兩種組合的合金。