[發(fā)明專利]一種集成電路的調(diào)整方法、裝置、存儲介質(zhì)及終端設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011304189.5
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN114519327A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林智遠;唐延民;唐振宇
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392;G06F30/398;G06N3/04;G06N3/08
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 溫宏梅

1.一種集成電路的調(diào)整方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取集成電路對應(yīng)的特征信息，其中，所述特征信息包括集成電路的電路版圖對應(yīng)的位置參量以及集成電路對應(yīng)的光電特性；

基于所述特征信息，確定所述位置參量對應(yīng)的調(diào)整參量；

基于所述調(diào)整參量對所述位置參量進行調(diào)整以得到目標(biāo)位置參量，以基于所述目標(biāo)位置參量確定調(diào)整后的集成電路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述集成電路的調(diào)整方法，其特征在于，所述基于所述特征信息，確定所述位置參量對應(yīng)的調(diào)整參量具體包括：

獲取所述光電特性對應(yīng)的誤差值；

基于所述誤差值及所述位置參量，確定所述位置參量對應(yīng)的調(diào)整參量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路的調(diào)整方法，其特征在于，所述獲取所述光電特性對應(yīng)的誤差值具體包括：

獲取所述集成電路對應(yīng)的光電特性限制條件，并基于所述光電特性限制條件確定所述集成電路對應(yīng)的目標(biāo)函數(shù)；

基于所述目標(biāo)函數(shù)，確定所述光電特性對應(yīng)的誤差值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路的調(diào)整方法，其特征在于，所述基于所述誤差值及所述位置參量，確定所述位置參量對應(yīng)的調(diào)整參量具體包括：

對于位置參量中的每個位置參量項，基于所述誤差值以及所述目標(biāo)函數(shù)確定該位置參量項對應(yīng)的梯度值，并基于該梯度值確定該位置參量項對應(yīng)的調(diào)整參量項；

獲取到的所有調(diào)整參量項構(gòu)成所述位置參量對應(yīng)的調(diào)整參量。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路的調(diào)整方法，其特征在于，所述光電特性包括若干光電參數(shù)，所述光電特性限制條件包括若干光電參數(shù)中部分光電參數(shù)對應(yīng)的下門限閾值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路的調(diào)整方法，其特征在于，所述基于所述調(diào)整參量對所述位置參量進行調(diào)整以得到目標(biāo)位置參量具體包括：

對于位置參量中的每個位置參量項，在調(diào)整參量中確定該位置參量項對應(yīng)的調(diào)整參量項；

確定所述位置參量項與所述調(diào)整參量項的元素和，并將該元素和作為該位置參量項對應(yīng)的目標(biāo)位置參量項；

將所有目標(biāo)位置參量項構(gòu)成的位置參量作為目標(biāo)位置參量。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的集成電路的調(diào)整方法，其特征在于，所述基于所述調(diào)整參量對所述位置參量進行調(diào)整以得到目標(biāo)位置參量，以基于所述目標(biāo)位置參量確定調(diào)整后的集成電路之后，所述還方法包括：

獲取所述目標(biāo)位置參量對應(yīng)的目標(biāo)光電特性，并保存所述目標(biāo)位置參量與目標(biāo)光電特性構(gòu)成的電路參數(shù)對。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路的調(diào)整方法，其特征在于，所述獲取所述目標(biāo)位置參量對應(yīng)的目標(biāo)光電特性，并保存所述目標(biāo)位置參量與目標(biāo)光電特性構(gòu)成的電路參數(shù)對之后，所述方法還包括：

基于預(yù)設(shè)的期望光電特性，在預(yù)存的若干電路參數(shù)對中選取所述期望光電特征對應(yīng)的目標(biāo)電路參數(shù)對；

基于所述目標(biāo)電路參數(shù)對中的目標(biāo)位置參量，確定所述期望光電特性對應(yīng)的集成電路。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路的調(diào)整方法，其特征在于，基于預(yù)設(shè)的期望光電特性，在預(yù)存的若干電路參數(shù)對中選取所述期望光電特征對應(yīng)的目標(biāo)電路參數(shù)對具體包括：

獲取所述期望光電特性對應(yīng)的權(quán)重系數(shù)集，其中，所述權(quán)重系數(shù)集包括期望光電特性中的各光電參數(shù)各自對應(yīng)的權(quán)重系數(shù)；

基于所述期望光電特性及所述權(quán)重系數(shù)集，在所述若干電路參數(shù)對中選取目標(biāo)電路參數(shù)對。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路的調(diào)整方法，其特征在于，所述預(yù)存的若干電路參數(shù)對以KD樹形式存儲。