[發明專利]光伏器件

有效

• 申請號: 202011303596.4
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN112466979B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 吳兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰
• 申請（專利權）人: 隆基綠能科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/075
• 分類號: H01L31/075;H01L31/055
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 趙娟

1.一種光伏器件，其特征在于，包括：光吸收體、空穴選擇性接觸層、電子選擇性接觸層；所述空穴選擇性接觸層傳輸所述光吸收體產生的空穴型載流子；所述電子選擇性接觸層傳輸所述光吸收體產生的電子型載流子；

所述光吸收體包含具有中間帶的半導體材料，所述光吸收體為碳化硅；

所述空穴選擇性接觸層、所述電子選擇性接觸層對應的區域分別為第一區域、第二區域；所述光吸收體至少在所述第一區域處靠近空穴選擇性接觸層的表層和/或第二區域處靠近電子選擇性接觸層的表層形成過渡區，所述過渡區不具有中間帶；所述光吸收體具有光吸收主體部分，所述光吸收主體部分同時具備中間帶摻雜和導電性摻雜，且所述導電性摻雜的濃度為10¹⁵cm^-3-10¹⁹cm^-3量級。

2.根據權利要求1所述的光伏器件，其特征在于，所述過渡區的厚度小于或等于所述光吸收體厚度的50%。

3.根據權利要求1所述的光伏器件，其特征在于，

在所述半導體材料的中間帶能級靠近價帶頂的情況下，所述過渡區至少設置在光吸收體靠近所述空穴選擇性接觸層的一側；

在所述半導體材料的中間帶能級靠近導帶底的情況下，所述過渡區至少設置在光吸收體靠近所述電子選擇性接觸層的一側。

4.根據權利要求1-3中任一所述的光伏器件，其特征在于，所述光吸收體的厚度為10-200um；所述過渡區的厚度為0.01-10um。

5.根據權利要求1-3中任一所述的光伏器件，其特征在于，形成所述中間帶的雜質摻雜濃度為0.01-10 at.%。

6.根據權利要求1-3中任一所述的光伏器件，其特征在于，形成所述中間帶的雜質元素包括鈷、鉻、鎳、錳、鐵、鈧、鈦、釩、銅、鋅、硼、氮、氧中的至少一種。

7.根據權利要求1-3中任一所述的光伏器件，其特征在于，所述空穴選擇性接觸層、所述電子選擇性接觸層分別位于所述光吸收體的向光面和背光面；或，所述空穴選擇性接觸層、所述電子選擇性接觸層分別位于所述光吸收體的背光面的不同區域。

8.根據權利要求1-3中任一所述的光伏器件，其特征在于，所述光吸收體的向光面為平面，或，所述光吸收體的向光面具有陷光結構。

9.根據權利要求1-3中任一所述的光伏器件，其特征在于，所述光伏器件還包括位于所述光吸收體向光面的上功能層，和/或，位于所述光吸收體背光面的下功能層，所述上功能層、所述下功能層均包括減反層、鈍化層、傳輸層中的至少一種。