[發(fā)明專利]一種提高電池轉(zhuǎn)化效率的PECVD機(jī)臺(tái)鈍化工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011302354.3
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN112349815A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱海榮;彭平;夏中高;李旭杰
• 申請（專利權(quán)）人: 平煤隆基新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 許昌豫創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 41140
• 代理人: 韓曉靜

1.一種提高電池轉(zhuǎn)化效率的PECVD機(jī)臺(tái)鈍化工藝，其特征在于：包括PECVD機(jī)臺(tái)，所述PECVD機(jī)臺(tái)包括氧化鋁腔體和氮化硅腔體，所述氧化鋁腔體用于對硅片鍍氧化鋁膜，所述氮化硅腔體用于對硅片鍍氮化硅膜，氮化硅膜覆蓋于氧化鋁膜表面，還包括以下步驟：

（a）硅片經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、SE激光、刻蝕、退火工藝后，進(jìn)入PECVD機(jī)臺(tái)的氧化鋁腔體和氮化硅腔體，依次鍍氧化鋁膜和氮化硅膜，其中氧化鋁腔體工藝不變；

（b）將氮化硅腔體內(nèi)的工藝帶速設(shè)為210-250cm/min，腔體溫度設(shè)為350-450℃，工藝壓強(qiáng)設(shè)為0.23-0.27mbar；

（c）將氮化硅腔體內(nèi)第一根氣路的氨氣流量設(shè)為500-650sccm，硅烷流量設(shè)為300-400sccm，將氮化硅腔體內(nèi)第二根氣路的氨氣流量設(shè)為500-650sccm，硅烷流量設(shè)為200-300sccm，將氮化硅腔體內(nèi)第三、四、五根氣路的氨氣流量設(shè)為600-800sccm，硅烷流量設(shè)為150-250sccm；將第六根氣路左中右三段氨氣的流量分別設(shè)置為0-250sccm、0-700sccm、0-250sccm；左中右三段硅烷的流量分別設(shè)置為0-100sccm、0-250sccm、0-100sccm；

（d）將氮化硅腔體內(nèi)六根氣路的微波功率設(shè)為3800W，占空比設(shè)為8/9；

（e）將硅片背面朝上放置于鍍膜的長方形石墨載板上，依次進(jìn)入氧化鋁腔體、氮化硅腔體分別鍍氧化鋁膜、氮化硅膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高電池轉(zhuǎn)化效率的PECVD機(jī)臺(tái)鈍化工藝，其特征在于：所述PECVD機(jī)臺(tái)可以采用瑪雅背鍍機(jī)臺(tái)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高電池轉(zhuǎn)化效率的PECVD機(jī)臺(tái)鈍化工藝，其特征在于：所述硅片可以采用P型單晶硅片或者多晶硅片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高電池轉(zhuǎn)化效率的PECVD機(jī)臺(tái)鈍化工藝，其特征在于：所述石墨載板可以采用長6片、寬4片共裝載24片硅片的長方形石墨載板。