[發(fā)明專利]套件、及使用該套件的第三層疊體的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011302243.2 | 申請日： | 2020-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN112825306A | 公開（公告）日： | 2021-05-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 古野健太;山本大輔 | 申請（專利權(quán)）人： | 琳得科株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;B32B7/06;B32B7/12;B32B27/06;B32B33/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人： | 張晶;謝順星 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 套件 使用 第三 層疊 制造 方法 | ||
1.一種套件，其具備第一層疊體和支撐片，所述第一層疊體中依次層疊有第一剝離膜、保護膜形成膜及第二剝離膜，所述支撐片用于支撐作為所述保護膜形成膜的保護對象的工件和所述保護膜形成膜，其中，
使用70℃的層壓輥，將所述保護膜形成膜貼附在經(jīng)鏡面加工的硅晶圓的鏡面上，完成所述貼附5分鐘后的、以100mm/分鐘的剝離速度、于23℃的溫度下測定的所述保護膜形成膜與所述硅晶圓之間的180°剝離粘著力為900mN/25mm以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的套件，其中，所述第一層疊體為卷狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的套件，其中，所述保護膜形成膜為熱固性或能量射線固化性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的套件，其中，所述支撐片的貼附在所述保護膜形成膜上的粘著劑層層疊在基材上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的套件，其中，使用23℃的層壓輥，將所述支撐片貼附在所述保護膜形成膜上，完成所述貼附3分鐘后的、以100mm/分鐘的剝離速度、于23℃的溫度下測定的所述保護膜形成膜與所述支撐片之間的180°剝離粘著力為100mN/25mm以上。
6.一種第三層疊體的制造方法，其將權(quán)利要求1～5中任一項所述的套件用于在線工藝，且所述第三層疊體中依次層疊有工件、所述保護膜形成膜及所述支撐片，所述制造方法依次包括：
將所述第一層疊體的第一剝離膜剝離的工序；
在所述工件上貼附所述保護膜形成膜的露出面的第一層疊工序；及
在所述保護膜形成膜的與所述露出面相反的面上貼附所述支撐片的第二層疊工序，
從開始進行所述第一層疊工序的貼附的地點至完成所述第二層疊工序的貼附的地點之間的所述工件的搬送距離為7000mm以下。
7.一種第三層疊體的制造方法，其將權(quán)利要求1～5中任一項所述的套件用于在線工藝，且所述第三層疊體中依次層疊有工件、所述保護膜形成膜及所述支撐片，所述制造方法依次包括：
將所述第一層疊體的第一剝離膜剝離的工序；
在所述工件上貼附所述保護膜形成膜的露出面的第一層疊工序；及
在所述保護膜形成膜的與所述露出面相反的面上貼附所述支撐片的第二層疊工序，
從開始進行所述第一層疊工序的貼附時至完成所述第二層疊工序的貼附時之間的所述工件的搬送時間為400s以下。
8.一種第三層疊體的制造方法，其將權(quán)利要求1～5中任一項所述的套件用于在線工藝，且所述第三層疊體中依次層疊有工件、所述保護膜形成膜及所述支撐片，所述制造方法依次包括：
將所述第一層疊體的第一剝離膜剝離的工序；
在所述工件上貼附所述保護膜形成膜的露出面的第一層疊工序；及
在所述保護膜形成膜的與所述露出面相反的面上貼附所述支撐片的第二層疊工序，
從所述第一層疊工序至所述第二層疊工序之間，將在所述工件上貼附有所述保護膜形成膜的第二層疊體一片一片地進行搬送。
9.根據(jù)權(quán)利要求6～8中任一項所述的第三層疊體的制造方法，其中，在所述工件的與貼附所述保護膜形成膜的露出面的一側(cè)為相反側(cè)的面上貼附有背磨膠帶，在所述第二層疊工序之后包括從所述工件上剝離所述背磨膠帶的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的第三層疊體的制造方法，其中，在開始進行所述第一層疊工序的貼附不到10分鐘之內(nèi)，開始從所述工件上剝離所述背磨膠帶。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
