[發(fā)明專利]用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結(jié)構(gòu)及其器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011302202.3
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN112420813B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭德霄;林志東;何俊蕾;王立閣;汪曉媛;趙杰;劉成;葉念慈
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/20;H01L29/40;H01L29/778;H01L21/02
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1.用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括位于Ⅲ-Ⅴ族氮化物基底上的Al_1-xSc_xN層和Al_ySc_2-yO₃層，Al_1-xSc_xN層和Al_ySc_2-yO₃層由下至上依次層疊設(shè)置，其中，Al_1-xSc_xN層的厚度為0.5~10nm，0＜x≤1；Al_ySc_2-yO₃層的厚度為1~20nm，0≤y＜2，Al_1-xSc_xN層的厚度≤Al_ySc_2-yO₃層的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結(jié)構(gòu)，其特征在于：Al_1-xSc_xN層具有多層結(jié)構(gòu)，或者，Al_ySc_2-yO₃層具有多層結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結(jié)構(gòu)，其特征在于：在Al_1-xSc_xN層的多層結(jié)構(gòu)中，每一層中Al的含量由下至上依次遞增，Sc含量由下至上依次遞減。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結(jié)構(gòu)，其特征在于：在Al_ySc_2-yO₃層的多層結(jié)構(gòu)中，每一層中Al的含量由下至上依次遞減，Sc含量由下至上依次遞增。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括AlN層，Al_1-xSc_xN層層疊于AlN層上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括Al₂O₃層，Al₂O₃層層疊于Al_ySc_2-yO₃層上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結(jié)構(gòu)，其特征在于：Al_1-xSc_xN層和Al_ySc_2-yO₃層的沉積方式為原子層沉積。

8.一種Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件，至少包括基底、電極和鈍化保護(hù)層，電極和鈍化保護(hù)層位于基底上；其特征在于：還包括如權(quán)利要求1至權(quán)利要求7中任一項(xiàng)所述的表面鈍化結(jié)構(gòu)，其中，Al_1-xSc_xN層位于基底和電極上，鈍化保護(hù)層位于Al_ySc_2-yO₃層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件，其特征在于：鈍化保護(hù)層具體為SiN層、SiO₂和SiON中的一種或多種。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件，其特征在于：基底至少為AlGaN、GaN、InAlGaN、InGaN、InAlN、InN和AlN中的任意一種。