[發(fā)明專利]用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結構及其器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011302202.3 | 申請日: | 2020-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN112420813B | 公開(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 郭德霄;林志東;何俊蕾;王立閣;汪曉媛;趙杰;劉成;葉念慈 | 申請(專利權)人: | 廈門市三安集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/06 | 分類號: | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/40;H01L29/778;H01L21/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361100 福建省廈門*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 氮化物 器件 表面 鈍化 結構 及其 | ||
1.用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結構,其特征在于:包括位于Ⅲ-Ⅴ族氮化物基底上的Al1-xScxN層和AlySc2-yO3層,Al1-xScxN層和AlySc2-yO3層由下至上依次層疊設置,其中,Al1-xScxN層的厚度為0.5~10nm,0<x≤1;AlySc2-yO3層的厚度為1~20nm,0≤y<2,Al1-xScxN層的厚度≤AlySc2-yO3層的厚度。
2.根據(jù)權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結構,其特征在于:Al1-xScxN層具有多層結構,或者,AlySc2-yO3層具有多層結構。
3.根據(jù)權利要求2所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結構,其特征在于:在Al1-xScxN層的多層結構中,每一層中Al的含量由下至上依次遞增,Sc含量由下至上依次遞減。
4.根據(jù)權利要求2所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結構,其特征在于:在AlySc2-yO3層的多層結構中,每一層中Al的含量由下至上依次遞減,Sc含量由下至上依次遞增。
5.根據(jù)權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結構,其特征在于:還包括AlN層,Al1-xScxN層層疊于AlN層上。
6.根據(jù)權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結構,其特征在于:還包括Al2O3層,Al2O3層層疊于AlySc2-yO3層上。
7.根據(jù)權利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面鈍化結構,其特征在于:Al1-xScxN層和AlySc2-yO3層的沉積方式為原子層沉積。
8.一種Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件,至少包括基底、電極和鈍化保護層,電極和鈍化保護層位于基底上;其特征在于:還包括如權利要求1至權利要求7中任一項所述的表面鈍化結構,其中,Al1-xScxN層位于基底和電極上,鈍化保護層位于AlySc2-yO3層上。
9.根據(jù)權利要求8所述的一種Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件,其特征在于:鈍化保護層具體為SiN層、SiO2和SiON中的一種或多種。
10.根據(jù)權利要求8所述的一種Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件,其特征在于:基底至少為AlGaN、GaN、InAlGaN、InGaN、InAlN、InN和AlN中的任意一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器;半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





