[發明專利]光致抗蝕劑下層和形成光致抗蝕劑圖案的方法在審
| 申請號： | 202011301426.2 | 申請日： | 2020-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN113176708A | 公開（公告）日： | 2021-07-27 |
| 發明（設計）人： | 訾安仁;林進祥;張慶裕 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/09 | 分類號： | G03F7/09;G03F7/16;G03F7/38;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人： | 趙艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光致抗蝕劑 下層 形成 圖案 方法 | ||
1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：
在半導體基板上方形成包含光致抗蝕劑下層組合物的光致抗蝕劑下層；
在所述光致抗蝕劑下層上方形成包含光致抗蝕劑組合物的光致抗蝕劑層；
將所述光致抗蝕劑層選擇性地曝光于光化輻射；以及
使所述光致抗蝕劑層顯影以在所述光致抗蝕劑層中形成圖案，
其中所述光致抗蝕劑下層組合物包含：
具有酸不穩定側基的聚合物；
具有交聯基團的聚合物或具有羧酸側基的聚合物；
產酸劑；以及
溶劑，并且
其中所述光致抗蝕劑組合物包含：
聚合物；
光活性化合物；以及
溶劑。
2.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括在40℃至200℃的溫度下對所述光致抗蝕劑下層進行第一加熱達10秒至5分鐘，然后形成所述光致抗蝕劑層。
3.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括在40℃至140℃的溫度下對所述光致抗蝕劑層和所述光致抗蝕劑下層進行第二加熱達10秒至5分鐘。
4.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括在100℃至200℃的溫度下對所述光致抗蝕劑下層和所述選擇性曝光的光致抗蝕劑層進行第三加熱達10秒至10分鐘，然后使所述選擇性曝光的光致抗蝕劑層顯影。
5.根據權利要求1所述的方法，其中在所述顯影期間去除所述光致抗蝕劑的選擇性曝光于光化輻射的部分。
6.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：
在半導體基板上方形成包含光致抗蝕劑下層組合物的光致抗蝕劑下層；
在所述光致抗蝕劑下層上方形成包含光致抗蝕劑組合物的光致抗蝕劑層；
將所述光致抗蝕劑層選擇性地曝光于光化輻射；以及
使所述光致抗蝕劑層顯影以在所述光致抗蝕劑層中形成圖案，
其中所述光致抗蝕劑下層組合物包含：
具有酸不穩定側基的聚合物或具有羧酸側基的聚合物；
醇或具有交聯基團的聚合物；
熱產酸劑；
光產堿劑；以及
溶劑，并且
其中所述光致抗蝕劑組合物包含：
聚合物；
光活性化合物；以及
溶劑。
7.根據權利要求6所述的方法，所述方法還包括在40℃至140℃的溫度下對所述光致抗蝕劑下層進行第一加熱達10秒至5分鐘，然后形成所述光致抗蝕劑層。
8.根據權利要求6所述的方法，所述方法還包括在40℃至140℃的溫度下對所述光致抗蝕劑層和所述光致抗蝕劑下層進行第二加熱達10秒至5分鐘。
9.根據權利要求6所述的方法，所述方法還包括在140℃至200℃的溫度下對所述光致抗蝕劑下層和所述選擇性曝光的光致抗蝕劑層進行第三加熱達10秒至10分鐘，然后使所述選擇性曝光的光致抗蝕劑層顯影。
10.一種用于形成光致抗蝕劑下層的組合物，所述組合物包含：
具有酸不穩定側基的聚合物，其中所述酸不穩定基團占所述具有酸不穩定側基的聚合物的20重量％至80重量％；
具有交聯基團的聚合物或具有羧酸側基的聚合物；
其中所述交聯基團占所述具有交聯基團的聚合物的20重量％至80重量％，并且所述羧酸基團占所述具有羧酸基團的聚合物的5重量％至30重量％；
產酸劑；以及
溶劑。
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