[發明專利]一種晶圓及晶圓劃片方法及一種芯粒

在審

• 申請號: 202011301311.3
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN112605535A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 宋迪;高佳;湯國梁;金超;張東炎;王篤祥
• 申請（專利權）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70;H01L21/67;H01L21/78
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種晶圓劃片方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供晶圓，所述晶圓的表面設有多條第一切割道和第二切割道，所述第一切割道和所述第二切割道在平行于所述襯底表面的第一方向和第二方向上交錯分布；

對所述晶圓進行劃片，采用激光光束分別沿所述第一切割道和所述第二切割道對所述晶圓進行劃片，在所述晶圓的表面形成沿第一方向和第二方向交錯的多條溝槽；

其中，所述激光光束與垂直于所述襯底的第三方向具有一夾角，使得所述激光光束自所述第三方向傾斜照射至所述晶圓表面。

2.根據權利要求1所述的晶圓劃片方法，其特征在于，所述第一切割道和所述第二切割道垂直交錯設置。

3.根據權利要求1所述的晶圓劃片方法，其特征在于，所述溝槽的深度介于38μm～46μm。

4.根據權利要求1所述的晶圓劃片方法，其特征在于，沿所述激光光束的照射方向，所述溝槽的寬度逐漸變小，其中，所述溝槽的寬度小于或者等于12μm。

5.根據權利要求1所述的晶圓劃片方法，其特征在于，所述激光光束與垂直于所述襯底的第三方向的夾角介于5°～45°。

6.根據權利要求1或5所述的晶圓劃片方法，其特征在于，所述溝槽包括第一側壁以及與所述第一側壁相對的第二側壁，所述第一側壁自所述第三方向傾斜，并且所述第一側壁的傾斜方向與所述激光光束的傾斜方向相同，所述第二側壁垂直于所述襯底表面。

7.根據權利要求6所述的晶圓劃片方法，其特征在于，所述溝槽的所述第一側壁的高度小于所述第二側壁的高度。

8.根據權利要求1所述的晶圓劃片方法，其特征在于，所述晶圓包括生長襯底以及形成在所述生長襯底表面的外延層，所述第一切割道和所述第二切割道位于所述外延層的表面上。

9.一種晶圓，其特征在于，所述晶圓包括經劃片得到的多顆芯粒以及位于所述芯粒之間的多個溝槽，所述溝槽在平行于所述襯底表面的第一方向和第二方向上交錯排列，所述溝槽包括第一側壁以及與所述第一側壁相對的第二側壁，所述第一側壁的高度小于所述第二側壁的高度。

10.根據權利要求9所述的晶圓，其特征在于，相鄰所述芯粒間的所述溝槽的寬度小于或者等于12μm。

11.根據權利要求9所述的晶圓，其特征在于，所述溝槽的深度介于38μm～46μm。

12.根據權利要求9所述的晶圓，其特征在于，所述溝槽的所述第一側壁自垂直于所述晶圓表面的第三方向傾斜，與所述第三方向具有一夾角，所述第二側壁垂直于所述襯底表面。

13.根據權利要求12所述的晶圓，其特征在于，所述第一側壁與所述第三方向的夾角介于5°～45°。

14.一種芯粒，其特征在于，所述芯粒包括襯底以及形成在所述襯底上的外延層；所述襯底及所述外延層形成所述芯粒的四個側壁，其中，所述芯粒中相對設置的兩個側壁具有不同的高度。

15.根據權利要求14所述的芯粒，其特征在于，所述芯粒的第一側壁與所述芯粒的第二側壁相對，所述芯粒的第三側壁與所述芯粒的第四側壁相對，所述芯粒的第一側壁的高度低于所述芯粒的第二側壁的高度，所述芯粒的第三側壁的高度低于所述芯粒的第四側壁的高度。

16.根據權利要求15所述的芯粒，其特征在于，所述芯粒的所述第一側壁和第三側壁自垂直于所述晶圓表面的第三方向傾斜，與所述第三方向具有一夾角，所述第二側壁和所述第四側壁垂直于所述襯底表面。