[發明專利]一種復合金屬箔及線路板

在審

• 申請號: 202011301299.6
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN114521042A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發明（設計）人: 蘇陟
• 申請（專利權）人: 廣州方邦電子股份有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/16
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明公開一種復合金屬箔及線路板，復合金屬箔包括：第一導電層和第一電阻層，第一電阻層形成在第一導電層的一側，第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的至少部分區域均設置有凸起結構。凸起結構的存在，增大了第一電阻層的截面積，提高了第一電阻層的載流量，進而提高了第一電阻層的耐ESD性能，進而提高了埋入式電阻的抗靜電擊穿能力。

技術領域

本發明涉及復合金屬箔技術領域，尤其涉及一種復合金屬箔及線路板。

背景技術

隨著無線通訊和電子設備的高速發展，電子設備朝著精密化、小型化和輕薄化演化，因此，要求電子設備內部的元器件的尺寸要盡可能的向小型化、輕薄化發展。

電子設備內部的電阻元件由之前的帶針腳的插接電阻，到貼片電阻，再到埋入式電阻，逐漸向輕薄化發展。埋入式電阻的制備過程大致如下：將復合金屬箔貼附電路板上，通過刻蝕工藝刻蝕出埋入式電阻。

埋入式電阻的應用終端電子產品內部的電路板上集成有眾多埋入式電阻，而電路對靜電高壓相當敏感，當帶靜電的人或物體接觸到這些埋入式電阻時，會產生靜電釋放，當靜電高壓沖擊電路后，容易被靜電高壓擊穿，從而使得埋入式電阻功能失效。

發明內容

本發明實施例的一個目的在于：提供復合金屬箔，能夠提高第一電阻層的載流量，進而提高第一電阻層的耐ESD(Electro-Static Discharge，靜電釋放)性能，進而提高埋入式電阻的抗靜電擊穿性能。

本發明實施例的再一個目的在于：提供一種線路板，包括本發明實施例提供的復合金屬箔。

為達上述目的，本發明采用以下技術方案：

第一方面，本發明實施例提供了一種復合金屬箔，包括：第一導電層和第一電阻層；

所述第一電阻層設置在所述第一導電層的一側；

所述第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的至少部分區域均設置有凸起結構。

可選的，所述第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的粗糙度Rz的范圍為0.1μm-30μm。

可選的，所述第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的粗糙度Sdr的范圍為大于或等于0.5％。

可選的，所述第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的全部區域均設置有凸起結構。

可選的，所述第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的至少部分區域設置有多個連續的凸起結構。

可選的，所述第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的全部區域均設置有多個連續的凸起結構。

可選的，所述第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的粗糙度Rz的范圍為0.1μm-10μm，所述第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的粗糙度Sdr的范圍為大于或等于20％。

可選的，所述第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的粗糙度Rz的范圍為0.1μm-10μm，所述第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的粗糙度Sdr的范圍為大于或等于50％。

可選的，所述第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的粗糙度Rz的范圍為0.1μm-10μm，所述第一電阻層靠近所述第一導電層的一側及遠離所述第一導電層的一側的粗糙度Sdr的范圍為大于或等于200％。

可選的，復合金屬箔還包括至少一層介質層，所述介質層設置在所述第一電阻層遠離所述第一導電層的一側。