[發(fā)明專利]一種影像傳感芯片的抗雜光方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011300811.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112422853A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 湯永長;戴中榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州新晶騰光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04N5/359 | 分類號(hào): | H04N5/359;H04N5/268 |
| 代理公司: | 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 顧品熒 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 影像 傳感 芯片 抗雜光 方法 | ||
1.一種影像傳感芯片的抗雜光方法,其特征在于:包括以下步驟:S1、RST啟動(dòng)第一個(gè)訊號(hào),將主動(dòng)光源(LED ON)開啟或關(guān)閉,同時(shí)影像傳感芯片啟動(dòng)第一次有效曝光(EXPOSURE)并在下一個(gè)RST電訊號(hào)到來時(shí)關(guān)閉或開啟,第一次曝光開始,影像傳感芯片的感光區(qū)(2)均能啟動(dòng)并通過編碼轉(zhuǎn)換電路(3)將其采集到的第一圖像信息傳至圖像處理器(4)的RD1;S2、RD1電訊為高電位時(shí),將第一圖像信息置入圖像處理器(4)的暫存區(qū)【A】,RD1電訊為低電位時(shí),將第一圖像信息置入圖像處理器(4)的暫存區(qū)【a】;S3、RST啟動(dòng)第二個(gè)訊號(hào)后,主動(dòng)光源(LED ON)繼續(xù)開啟或關(guān)閉且主動(dòng)光源(LED ON),開啟或關(guān)閉的順序與第一次曝光主動(dòng)光源(LED ON)開啟或關(guān)閉的順序相反,同時(shí)影像傳感芯片啟動(dòng)第二次有效曝光(EXPOSURE)并在下一個(gè)RST電訊號(hào)到來時(shí)關(guān)閉,第二次曝光,感光區(qū)(2)均能啟動(dòng)采集第二個(gè)圖像光信息并通過編碼轉(zhuǎn)換電路(3)將其采集到的第二個(gè)圖像信息傳至圖像處理器(4)的RD2;S4、RD2電訊為高電位時(shí),將第二圖像信息置入暫存區(qū)【a】,RD2電訊為低電位時(shí),將第二圖像信息置入暫存區(qū)【A】;S5、經(jīng)過圖像處理器(4)的差動(dòng)放大器處理,影像傳感芯片輸出信息為暫存區(qū)【A】內(nèi)存放的信息消去暫存區(qū)【a】內(nèi)存放的信息。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種影像傳感芯片的抗雜光方法,其特征在于:在所述步驟S1和S3中,所述感光區(qū)(2)由矩陣設(shè)置的多個(gè)微透鏡組成,多個(gè)所述微透鏡分別采集第一圖像的光線信息由編碼轉(zhuǎn)換電路(3)將感光面的第一個(gè)圖像的光線信息轉(zhuǎn)換成為與其成相應(yīng)比例關(guān)系的電信號(hào)通過感芯片的ADR總線傳至圖像處理器(4)比較電路RD1,多個(gè)所述微透鏡分別采集第二圖像的光線信息由編碼轉(zhuǎn)換電路(3)將感光面的第二個(gè)圖像的光線信息轉(zhuǎn)換成為與其成相應(yīng)比例關(guān)系的電信號(hào)通過感芯片的ADR總線傳至圖像處理器(4)比較電路RD2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種影像傳感芯片的抗雜光方法,其特征在于:所述影像傳感芯片的外圍設(shè)置有用于與影像傳感芯片GND連接的保護(hù)圈(SEALRING)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種影像傳感芯片的抗雜光方法,其特征在于:所述保護(hù)圈(SEAL RING)與影像傳感芯片的外圍之間距離為10±5um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種影像傳感芯片的抗雜光方法,其特征在于:所述影像傳感芯片均設(shè)置在線路板(1)矩形接地焊盤上,且所述影像傳感芯片與外圍線路電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種影像傳感芯片的抗雜光方法,其特征在于:在所述步驟S1和S3中,所述主動(dòng)光源(LED ON)均用于與外部LED燈連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種影像傳感芯片的抗雜光方法,其特征在于:所述外部LED燈的主波長λ≥700nm。
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