[發(fā)明專利]用于構(gòu)建測(cè)試微環(huán)境的結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011299259.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112415366B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-03-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮雪;付浩然;張柏誠(chéng);唐瑞濤;周濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江清華柔性電子技術(shù)研究院;清華大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 上海波拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264 | 代理人: | 林麗璀 |
| 地址: | 314006 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 構(gòu)建 測(cè)試 環(huán)境 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種用于構(gòu)建測(cè)試微環(huán)境的結(jié)構(gòu),其特征在于,應(yīng)用于芯片可靠性測(cè)試中,所述結(jié)構(gòu)包括微孔基體及形成于所述微孔基體內(nèi)部的至少兩條通道,所述至少兩條通道包括電加熱通道、氣體循環(huán)通道、液體循環(huán)通道中的至少兩種,所述微孔基體與待測(cè)試區(qū)域的面積相匹配并可支撐于所述待測(cè)試區(qū)域的上方,所述微孔基體用于提供氣體、液體擴(kuò)散微孔,所述氣體循環(huán)通道用于提供形成測(cè)試氛圍的氣體;所述液體循環(huán)通道用于提供調(diào)節(jié)濕度的液體,或,所述液體循環(huán)通道用于提供形成濕度、腐蝕性環(huán)境的液體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于構(gòu)建測(cè)試微環(huán)境的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述至少兩條通道均包括叉指部分,所述至少兩條通道的所述叉指部分之間相向錯(cuò)位配合;和/或,所述至少兩條通道均分別包括至少兩個(gè)環(huán)形部分,所有所述環(huán)形部分同心設(shè)置,不同通道的所述環(huán)形部分之間交替設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于構(gòu)建測(cè)試微環(huán)境的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述微孔基體為水凝膠、微孔分子篩、微孔泡沫、微孔陶瓷中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于構(gòu)建測(cè)試微環(huán)境的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述微孔基體的微孔直徑為0.1 nm-1 μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的用于構(gòu)建測(cè)試微環(huán)境的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述通道的內(nèi)徑為0.1 mm-5 mm,所述微孔基體的厚度為2 mm-5 cm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于構(gòu)建測(cè)試微環(huán)境的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述至少兩條通道包括所述電加熱通道,所述電加熱通道中填充液態(tài)金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于構(gòu)建測(cè)試微環(huán)境的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述至少兩條通道包括所述氣體循環(huán)通道,所述氣體循環(huán)通道的內(nèi)壁設(shè)置氣體分離膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于構(gòu)建測(cè)試微環(huán)境的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述微孔基體的朝向所述待測(cè)試區(qū)域的一側(cè)設(shè)有微凸起結(jié)構(gòu),所述微孔基體通過(guò)所述微凸起結(jié)構(gòu)接觸所述待測(cè)試區(qū)域的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于構(gòu)建測(cè)試微環(huán)境的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述微孔基體的朝向所述待測(cè)試區(qū)域的一側(cè)設(shè)有至少一凹槽,所述凹槽的面積大于所述待測(cè)試區(qū)域的面積,所述凹槽的深度大于所述待測(cè)試區(qū)域的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于構(gòu)建測(cè)試微環(huán)境的結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括殼體,所述微孔基體收容于所述殼體,所述殼體的朝向所述待測(cè)試區(qū)域的一側(cè)開(kāi)口。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于構(gòu)建測(cè)試微環(huán)境的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述待測(cè)試區(qū)域?yàn)樾酒泳€腳。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
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