[發明專利]一種低頻低功耗陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 202011297809.7
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112363353A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 董欣;于靖;張東琪;張澤鵬;伍小豐
• 申請（專利權）人: 信利（仁壽）高端顯示科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 李健威

本發明公開了一種低頻低功耗陣列基板，包括像素區域，所述像素區域包括上下層疊設置的第一電極層、第一絕緣層、第二電極層、第二絕緣層和第三電極層，所述第一電極層包括第一電極，所述第二電極層包括第二電極，所述第三電極層包括第三電極；所述第一電極與所述第二電極之間至少部分上下重疊，以使所述第一電極與所述第二電極之間的上下重疊部分形成第一存儲電容；所述第二電極與所述第三電極之間至少部分上下重疊，以使所述第二電極與所述第三電極之間的上下重疊部分形成第二存儲電容。該低頻低功耗陣列基板可在不降低解析度的情況下，提高像素電極的電壓維持時間，以保障在低頻低功耗工作狀態下，所述像素電極仍然具有充足的電壓維持時間。本發明還公開了上述低頻低功耗陣列基板的制作方法。

技術領域

本發明涉及顯示技術，尤其涉及一種低頻低功耗陣列基板及其制作方法。

背景技術

隨著面板顯示行業的發展，液晶面板的解析度要求越來越高，隨之液晶面板的功耗也越來越大。為了在不降低解析度的情況下，降低功耗，常用通過降低液晶面板的刷新頻率來達到降低功耗的目的。

在現有技術中，液晶面板的TFT基板上設置有一層公共電極層VCOM，所述公共電極層VCOM中的公共電極會與所述像素電極相絕緣重疊以形成一存儲電容，液晶面板就是依靠所述存儲電容來使所述像素電極在TFT關斷后依然能夠維持著顯示電壓，直至下一次刷新充電。在刷新頻率降低之后，為了不影響液晶面板的顯示效果則需要提高所述像素電極的電壓維持時間，也就是說需要增加所述存儲電容的面積以在每次充電時儲存更多電荷，但是所述存儲電容的面積增大又會擠占所述像素電極的空間，使得像素密度降低，又會導致液晶面板的解析度降低。

如何在不降低液晶面板的解析度的前提下，提高所述存儲電容的大小，進而提高所述像素電極的電壓維持時間是本發明所要解決的技術問題。

發明內容

為了解決上述現有技術的不足，本發明提供一種低頻低功耗陣列基板，可在不降低解析度的情況下，提高像素電極的電壓維持時間，以保障在低頻低功耗工作狀態下，所述像素電極仍然具有充足的電壓維持時間。

本發明還提供上述低頻低功耗陣列基板的制作方法。

本發明所要解決的技術問題通過以下技術方案予以實現：

一種低頻低功耗陣列基板，包括像素區域，所述像素區域包括上下層疊設置的第一電極層、第一絕緣層、第二電極層、第二絕緣層和第三電極層，所述第一電極層包括第一電極，所述第二電極層包括第二電極，所述第三電極層包括第三電極；所述第一電極與所述第二電極之間至少部分上下重疊，以使所述第一電極與所述第二電極之間的上下重疊部分形成第一存儲電容；所述第二電極與所述第三電極之間至少部分上下重疊，以使所述第二電極與所述第三電極之間的上下重疊部分形成第二存儲電容。

進一步地，所述第一電極和第三電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。

進一步地，還包括開關區域，所述開關區域包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極分別與所述第一電極和第三電極之間電連接。

進一步地，所述第一電極和第三電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。

進一步地，還包括開關區域，所述開關區域包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極分別與所述第二電極之間電連接。

一種低頻低功耗陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1：依次制作柵層、柵絕緣層和有源層，所述柵層包括位于開關區域上的柵極和柵線，所述柵極與所述柵線之間電連接，所述柵絕緣層覆蓋于開關區域和像素區域，所述有源層包括位于開關區域的柵絕緣層上的硅島，所述硅島與所述柵極之間重疊；