[發(fā)明專利]電子霧化裝置及其供電組件、支架和支架制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011297455.6 | 申請日: | 2020-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN112721224B | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐文孝;汪新宇;沈丕發(fā);明志南 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳麥克韋爾科技有限公司 |
| 主分類號: | B29C69/00 | 分類號: | B29C69/00;B29C45/14;H01M50/502;H01M50/244;H01M50/247;A24F40/46;B29L31/34 |
| 代理公司: | 深圳市瑞方達知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 張約宗 |
| 地址: | 518102 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 霧化 裝置 及其 供電 組件 支架 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及電子霧化裝置及其供電組件、支架和支架制備方法,支架制備方法,包括以下步驟:S1、提供后模以及與該后模配合形成型腔的前模,將一體結(jié)構(gòu)的預(yù)制導(dǎo)電件放置于后模中,并將前模頂住該預(yù)制導(dǎo)電件;S2、向所述后模中注入塑膠,并通過固化形成與所述預(yù)制導(dǎo)電件為一體結(jié)構(gòu)且留設(shè)有沖斷孔的支架;S3、采用沖斷設(shè)備通過所述沖斷孔將所述預(yù)制導(dǎo)電件沖斷。該支架的制備方法通過將預(yù)制導(dǎo)電件與該塑膠注塑形成一體結(jié)構(gòu)的支架后,再通過采用沖斷設(shè)備從該支架上的沖斷孔將該預(yù)制導(dǎo)電件沖斷,從而可提高支架的制備效率,便于實現(xiàn)自動化組裝,提高供電組件的組裝效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及霧化裝置,更具體地說,涉及一種電子霧化裝置及其供電組件、支架和支架制備方法。
背景技術(shù)
相關(guān)技術(shù)中的電子霧化裝置的支架與導(dǎo)電件通常為分體結(jié)構(gòu),組裝時,需要將多個導(dǎo)電件依次裝入支架中,從而導(dǎo)致該電子霧化裝置裝配繁瑣、裝配效率低,并且不利于自動化組裝。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于,提供一種改進的支架制備方法,進一步提供一種改進的支架、供電組件和電子霧化裝置。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:構(gòu)造一種支架制備方法,包括以下步驟:
S1、提供后模以及與該后模配合形成型腔的前模,將一體結(jié)構(gòu)的預(yù)制導(dǎo)電件放置于后模中,并將前模頂住所述預(yù)制導(dǎo)電件;
S2、向所述后模中注入塑膠,并通過固化形成與所述預(yù)制導(dǎo)電件為一體結(jié)構(gòu)且留設(shè)有沖斷孔的支架;
S3、采用沖斷設(shè)備通過所述沖斷孔將所述預(yù)制導(dǎo)電件沖斷。
優(yōu)選地,所述沖斷孔包括并排且間隔設(shè)置在所述支架上的多個第一沖斷孔;
在所述步驟S2中,通過所述前模使得成型后的所述支架上留設(shè)有多個所述第一沖斷孔;
在所述步驟S3中,所述沖斷設(shè)備通過多個所述第一沖斷孔將所述預(yù)制導(dǎo)電件沖斷出多個電芯導(dǎo)電件。
優(yōu)選地,所述沖斷孔包括間隔設(shè)置在所述支架上兩個第二沖斷孔;
在所述步驟S2中,通過所述前模使得成型后的所述支架上留設(shè)有兩個所述第二沖斷孔;
在所述步驟S3中,所述沖斷設(shè)備通過兩個所述第二沖斷孔將所述預(yù)制導(dǎo)電件沖斷形成電芯導(dǎo)電件和充電導(dǎo)電件。
優(yōu)選地,所述沖斷孔包括設(shè)置在所述支架上且靠近所述支架的端部設(shè)置的第三沖斷孔;
在所述步驟S2中,通過所述前模使得成型后的所述支架上留設(shè)有所述第三沖斷孔;
在所述步驟S3中,所述沖斷設(shè)備通過所述第三沖斷孔將所述預(yù)制導(dǎo)電件沖斷形成相互配合的第一充電導(dǎo)電單元和第二充電導(dǎo)電單元。
優(yōu)選地,在所述步驟S2中,通過所述前模使得成型后的所述支架上留設(shè)有容置電芯的第一容置腔和容置線路板的第二容置腔。
優(yōu)選地,在所述步驟S2中,通過所述前模使得成型后的所述支架上留設(shè)有與所述預(yù)制導(dǎo)電件配合的第一定位孔。
優(yōu)選地,所述預(yù)制導(dǎo)電件上設(shè)有與所述前模上的定位柱配合的第二定位孔;
在所述S1步驟中,將所述預(yù)制導(dǎo)電件放置于后模中時,將所述預(yù)制導(dǎo)電件上的所述第二定位孔與所述定位柱配合定位。
優(yōu)選地,所述預(yù)制導(dǎo)電件形成于成型后的所述支架的底壁上。
優(yōu)選地,成型后的所述支架的所述預(yù)制導(dǎo)電件從所述第二容置腔向所述第一容置腔延伸設(shè)置。
優(yōu)選地,所述電芯導(dǎo)電件包括第一導(dǎo)電接觸部、第二導(dǎo)電接觸部、以及連接所述第一導(dǎo)電接觸部和所述第二導(dǎo)電接觸部的連接部;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳麥克韋爾科技有限公司,未經(jīng)深圳麥克韋爾科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011297455.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





