[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202011296256.3
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112820728A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 蔡中揆;千寬永;金潤鎮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/105;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種半導體器件，包括：

一對第一虛設有源區和第二虛設有源區，在第一水平方向上延伸并且在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上彼此間隔開；

一對第一電路有源區和第二電路有源區，在所述第一水平方向上延伸并且在所述第二水平方向上彼此間隔開；以及

多個線圖案，在所述第二水平方向上延伸并且在所述第一水平方向上彼此間隔開，

其中：

所述一對第一虛設有源區和第二虛設有源區設置在所述多個線圖案當中彼此相鄰的一對線圖案之間，以及

所述第一虛設有源區和所述第二虛設有源區中的至少一個具有寬度改變部分，所述寬度改變部分是其中所述第一虛設有源區和所述第二虛設有源區中的所述至少一個的寬度在彼此相鄰的所述一對線圖案之間在所述第二水平方向上改變的部分。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，在平面圖中，

所述第一虛設有源區具有彼此相反的第一虛設有源側表面和第二虛設有源側表面，

所述第二虛設有源區具有彼此相反的第三虛設有源側表面和第四虛設有源側表面，

所述第二虛設有源側表面和所述第三虛設有源側表面彼此相對，以及

在平面圖中，所述第一虛設有源區的所述第一虛設有源側表面和所述第二虛設有源區的所述第四虛設有源側表面中的每個具有大致直線的線形狀。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一虛設有源區的所述第二虛設有源側表面在平面圖中具有彎曲部。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第二虛設有源區的所述第三虛設有源側表面在平面圖中具有彎曲部。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一虛設有源區包括第一寬度部分、第二寬度部分以及在所述第一寬度部分和所述第二寬度部分之間的第一寬度改變部分，

所述第一寬度部分在所述第二水平方向上的寬度大于所述第二寬度部分在所述第二水平方向上的寬度，以及

所述第一寬度部分在所述第一水平方向上的長度與所述第二寬度部分在所述第一水平方向上的長度基本相同。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一虛設有源區包括第一寬度部分、第二寬度部分以及在所述第一寬度部分和所述第二寬度部分之間的第一寬度改變部分，

所述第一寬度部分在所述第二水平方向上的寬度大于所述第二寬度部分在所述第二水平方向上的寬度，以及

所述第一寬度部分在所述第一水平方向上的長度不同于所述第二寬度部分在所述第一水平方向上的長度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一虛設有源區包括第一寬度部分、第二寬度部分以及在所述第一寬度部分和所述第二寬度部分之間的第一寬度改變部分，

所述第一寬度部分在所述第二水平方向上的寬度大于所述第二寬度部分在所述第二水平方向上的寬度，

所述第二虛設有源區包括第三寬度部分、不同于所述第三寬度部分的第四寬度部分以及在所述第三寬度部分和所述第四寬度部分之間的第二寬度改變部分，以及

所述第三寬度部分在所述第二水平方向上的寬度大于所述第四寬度部分在所述第二水平方向上的寬度。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述第一寬度部分和所述第三寬度部分彼此相對。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一虛設有源區包括第一寬度部分、第二寬度部分以及在所述第一寬度部分和所述第二寬度部分之間的第一寬度改變部分，

所述第一寬度部分在所述第二水平方向上的寬度大于所述第二寬度部分在所述第二水平方向上的寬度，

所述第二虛設有源區包括第三寬度部分、不同于所述第三寬度部分的第四寬度部分以及在所述第三寬度部分和所述第四寬度部分之間的第二寬度改變部分，以及

所述第三寬度部分在所述第二水平方向上的寬度小于所述第四寬度部分在所述第二水平方向上的寬度。