[發明專利]后端工序中光刻對準圖形的形成方法在審
| 申請號： | 202011295925.5 | 申請日： | 2020-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN112420672A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 張超逸;梁金娥;馮秦旭;郭莉莉;吳建榮 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司;上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/02;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 后端 工序 光刻 對準 圖形 形成 方法 | ||
1.一種后端工序中光刻對準圖形的形成方法，其特征在于，包括：
通過CMP工藝對進行平坦化處理，去除預定深度的金屬層，所述金屬層形成于阻擋層上，所述阻擋層形成于介質層和溝槽的表面，所述介質層形成于襯底上，所述溝槽形成于介質層中，所述溝槽與光刻工藝中的對準圖形相對應；
通過去膠機進行灰化處理以去除所述平坦化處理過程中產生的副產物；
進行刻蝕，去除所述溝槽外的介質層和阻擋層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過CMP工藝對進行平坦化處理之前，還包括：
在所述襯底上形成所述介質層；
在所述介質層中形成所述溝槽；
依次形成所述阻擋層和所述金屬層。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述介質層包括二氧化硅。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成所述介質層，包括：
通過CVD工藝在所述襯底上沉積二氧化硅形成所述介質層。
5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述阻擋層包括鈦和/或氮化鈦。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述金屬層包括鎢。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述依次形成所述阻擋層和所述金屬層，包括：
通過PVD工藝在所述介質層和所述溝槽表面沉積鈦和/或氮化鈦形成所述阻擋層；
通過PVD工藝在所述阻擋層表面沉積鎢形成所述金屬層。
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