[發明專利]一種應用于碳化硅陶瓷的高效潔凈減薄方法

在審

• 申請號: 202011295353.0
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112548344A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 李曉鵬;支新濤;王大森;袁松梅;王克鴻
• 申請（專利權）人: 南京理工大學
• 主分類號: B23K26/36
• 分類號: B23K26/36;B23K26/142;B23K26/70
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 趙毅

1.一種應用于碳化硅陶瓷的高效潔凈減薄方法，其特征在于，該方法為對固定后的碳化硅表面進行激光輻照，激光能量密度高于碳化硅的損傷閾值，通過控制激光參數，按照掃描路徑，高能量的激光誘導碳化硅形成離子體，在激光能量作用下，等離子體爆炸實現材料的去除，在抽氣泵的作用下直接離開樣件表面。

2.根據權利要求1所述的碳化硅高效潔凈減薄方法，其特征在于，所述的激光包括納秒激光，皮秒激光或飛秒激光。

3.根據權利要求1所述的碳化硅高效潔凈減薄方法，其特征在于，固定采用真空吸附的方式進行。

4.根據權利要求1-3任一項所述的碳化硅高效潔凈減薄方法，其特征在于，步驟具體為：

步驟1，放置碳化硅工件在工作臺上，加工部位正對激光來源方向；

步驟2，開啟真空泵，實現工件吸附；

步驟3，繪制加工路徑，并導入到激光器控制系統；

步驟4，打開抽氣泵；

步驟5，調節激光參數，使焦點按照已繪制的掃描路徑進行移動，設置加工工藝規程，實現對待加工區的高效潔凈加工。

5.根據權利要求4所述的碳化硅高效潔凈減薄方法，其特征在于，步驟5中，輻照采用的激光參數包括：激光的脈寬300fs～100ns，波長800nm～1064nm，功率2W～40W，頻率0.2MHz～1MHz，離焦量-0.5mm～3mm，掃描速度100mm/s～1000mm/s。

6.根據權利要求4所述的碳化硅高效潔凈減薄方法，其特征在于，步驟5中，輻照所采用的軌跡圖形包括S形軌跡，平行軌跡。

7.根據權利要求6所述的碳化硅高效潔凈減薄方法，其特征在于，加工軌跡應滿足光斑重疊率為50％～90％，臨近軌跡的間距是光斑直徑的0.1倍～0.6倍；加工工藝規程包含：重復次數1～50次；進給量0.01～0.3mm。