[發明專利]針對基于PMOS的開關的過電壓保護電路在審
| 申請號： | 202011294900.3 | 申請日： | 2020-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN112910448A | 公開（公告）日： | 2021-06-04 |
| 發明（設計）人： | M·庫馬爾;R·庫馬爾;N·德曼吉 | 申請（專利權）人： | 意法半導體(魯塞)公司;意法半導體國際有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/08 | 分類號： | H03K17/08;H02H7/20;H02H3/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 羅利娜 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 針對 基于 pmos 開關 過電壓 保護 電路 | ||
1.一種方法，包括：
接收集成電路的焊盤處的焊盤電壓；
如果所述焊盤電壓高于所述集成電路的供應電壓，生成最大電壓信號，所述最大電壓信號是所述焊盤電壓；以及
如果所述焊盤電壓高于所述供應電壓，向第一PMOS晶體管的柵極端子供應所述最大電壓信號，所述第一PMOS晶體管被耦合到所述焊盤。
2.根據權利要求1所述的方法，還包括：
生成觸發信號，所述觸發信號指示過電壓事件是否存在于所述焊盤處；以及
響應于指示過電壓事件存在于所述焊盤處的所述觸發信號，向所述第一PMOS晶體管的所述柵極端子供應所述最大電壓信號。
3.根據權利要求2所述的方法，其中如果所述供應電壓大于所述焊盤電壓，則所述最大電壓信號是所述供應電壓。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一PMOS晶體管是模擬開關電路的一部分，所述模擬開關電路將信號從所述焊盤傳遞到所述集成電路的核心。
5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一PMOS晶體管是I/O驅動器的一部分，所述I/O驅動器向所述焊盤提供數據。
6.根據權利要求1所述的方法，還包括：如果所述焊盤電壓高于所述供應電壓，向第二PMOS晶體管的柵極端子供應所述最大電壓信號。
7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一PMOS晶體管是模擬開關電路的一部分，所述模擬開關電路將信號從所述焊盤傳遞到所述集成電路的核心，其中所述第二PMOS晶體管是I/O驅動器的一部分，所述I/O驅動器向所述焊盤提供數據。
8.根據權利要求1所述的方法，其中所述焊盤是I/O焊盤。
9.根據權利要求1所述的方法，其中生成所述最大電壓信號包括：將所述焊盤電壓與所述供應電壓進行比較。
10.一種集成電路，包括：
焊盤；
PMOS晶體管，被耦合到所述焊盤；
最大電壓生成器，被配置為生成最大電壓，所述最大電壓是所述焊盤上的焊盤電壓與所述集成電路的供應電壓中的較大項；以及
柵極關斷電路，被配置為響應于所述焊盤處的過電壓事件，通過向所述PMOS晶體管的柵極端子供應所述最大電壓信號來禁用所述PMOS晶體管。
11.根據權利要求10所述的集成電路，還包括：過電壓檢測電路，所述過電壓檢測電路被耦合到所述焊盤，并且被配置為基于所述焊盤電壓生成觸發信號，所述觸發信號指示過電壓事件是否存在于所述焊盤處。
12.根據權利要求11所述的集成電路，其中所述柵極關斷信號被配置為從所述過電壓檢測電路接收所述觸發信號，并且響應于所述觸發信號，向所述PMOS晶體管的所述柵極端子供應所述最大電壓信號。
13.根據權利要求12所述的集成電路，其中所述過電壓事件對應于所述焊盤電壓高于所述供應電壓。
14.根據權利要求11所述的集成電路，其中所述過電壓檢測電路包括：
觸發端子，所述觸發端子輸出所述觸發信號；以及
電容器，被耦合在所述焊盤與所述觸發端子之間。
15.根據權利要求10所述的集成電路，還包括：
核心，被配置為處理數據；以及
模擬開關電路，被耦合在所述焊盤與所述核心之間，并且被配置為將信號從所述焊盤傳遞到所述核心，其中所述PMOS晶體管是所述模擬開關電路的一部分。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于意法半導體(魯塞)公司;意法半導體國際有限公司，未經意法半導體(魯塞)公司;意法半導體國際有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011294900.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
