[發明專利]薄膜基體鍍前等離子體處理方法及其設備

在審

• 申請號: 202011294312.X
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112359316A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 宋光耀;田修波
• 申請（專利權）人: 松山湖材料實驗室
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/56;C23C16/02;C23C16/44;C23C16/54
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 陳培瓊

1.一種薄膜基體鍍前等離子體處理方法，其特征在于，薄膜基體通過間距為1～3mm的狹縫依次經過前處理室和鍍膜室；薄膜基體在經過前處理室時通過限位板進行限定，防止薄膜基體在收到離子風而產生位移；在前處理室中，通過給等離子體裝置中的中空陰極電離器通入一定量的Ar氣，在中空陰極電離器的出口位置將一部分Ar原子電離成Ar⁺和電子e；給等離子體裝置中的陽極板通入正電位時電子e會被賦以電場力，實現氣體電離前的雪崩效應，從而延長電子e到達陽極板的行程路徑，并能夠將Ar原子進一步電離成Ar⁺和電子e，提高Ar原子的離化率，最終在空間范圍內形成高密度的等離子體。

2.根據權利要求1所述的薄膜基體鍍前等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體裝置中的中空陰極電離器的數量為多個，并均勻分布。

3.根據權利要求1所述的薄膜基體鍍前等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體裝置采用水冷方式進行冷卻。

4.根據權利要求1所述的薄膜基體鍍前等離子體處理方法，其特征在于，在陽極板的上方設置有屏柵極，在屏柵極的上方設置有加速極，給屏柵極正電位、給加速極負電位，使得等離子體中部分足夠能量的Ar⁺可以從屏柵極的縫隙中逃逸出去，并向加速極飛去，且可以通過加速極的縫隙最終飛向薄膜基體；而電子e基本都飛向屏柵極，經過屏柵極的縫隙后，在加速極的負電位作用下，無法從加速極的縫隙逃逸出去。

5.一種薄膜基體鍍前等離子體處理設備，其包括依次連接的放料室、前處理室和鍍膜室，其特征在于，所述前處理室與放料室和鍍膜室之間的連接通道上設有隔板，該隔板上設有供薄膜基體穿過、間距為1～3mm的狹縫；所述前處理室內對應薄膜基體穿過軌跡線的一側位置設有等離子體裝置，另一側位置設有防止薄膜基體在收到離子風而產生位移的限位板。

6.根據權利要求5所述的薄膜基體鍍前等離子體處理設備，其特征在于，所述等離子體裝置包括屏柵極、屏柵極座、磁鐵體、鐵磁路、陽極絕緣座、放電室壁、陽極板、中空陰極電離器和加速極，所述中空陰極電離器設置在所述鐵磁路的中心區域，所述陽極絕緣座和磁鐵體按由內至外的順序設置在所述鐵磁路的邊緣區域，所述放電室壁設置在所述陽極絕緣座上，所述陽極板對應放電室壁的內側位置設置在陽極絕緣座上，所述屏柵極座設置在所述放電室壁和磁鐵體的上端，所述屏柵極位于中空陰極電離器的上方位置，且該屏柵極的邊緣位置設置在所述屏柵極座上，所述加速極位于所述屏柵極的上方位置。

7.根據權利要求6所述的薄膜基體鍍前等離子體處理設備，其特征在于，所述中空陰極電離器的數量為多個，均勻分布在所述鐵磁路的中心區域。

8.根據權利要求7所述的薄膜基體鍍前等離子體處理設備，其特征在于，所述中空陰極電離器呈矩陣式排列，分為三列九行。

9.根據權利要求5所述的薄膜基體鍍前等離子體處理設備，其特征在于，所述等離子體裝置上設有水冷通道。

10.根據權利要求5-9中任意一項所述的薄膜基體鍍前等離子體處理設備，其特征在于，所述前處理室內的等離子體裝置數量為兩個，分布在薄膜基體穿過軌跡線的兩側位置。