[發(fā)明專利]晶圓清洗裝置及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011293540.5
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號(hào): CN114520160A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 車世浩;胡艷鵬;李琳
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所;真芯（北京）半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11667
• 代理人: 孫峰芳

1.一種晶圓清洗裝置，用于對干法刻蝕工藝后的晶圓進(jìn)行清洗，其特征在于，包括：

清洗腔室；

紫外線燈，設(shè)置于所述清洗腔室內(nèi)，所述紫外線燈被配置為對移入所述清洗腔室的晶圓在開始清洗之前進(jìn)行照射，以加快晶圓上殘留揮發(fā)性氣體的揮發(fā)；

清洗機(jī)構(gòu)，設(shè)置于所述清洗腔室內(nèi)，所述清洗機(jī)構(gòu)被配置為對所述紫光線燈照射之后的晶圓進(jìn)行濕法清洗，以去除晶圓上殘留的顆粒副產(chǎn)物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述紫外線燈固定于所述清洗腔室的頂部，所述紫外線燈射出的紫外線垂直射入晶圓表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述紫外線燈的照射時(shí)間設(shè)置為不超過10秒。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述清洗機(jī)構(gòu)包括：

基臺(tái)，被配置為承載晶圓；

噴嘴，設(shè)置于所述基臺(tái)的表面上方，被配置為向晶圓噴射清洗液。

5.一種晶圓清洗裝置，用于對干法刻蝕工藝后的晶圓進(jìn)行清洗，其特征在于，包括：

紫外線腔室，所述紫外線腔室內(nèi)設(shè)置有紫外線燈，所述紫外線燈被配置為對移入所述紫外線腔室的晶圓在開始清洗之前進(jìn)行照射，以加快晶圓上殘留揮發(fā)性氣體的揮發(fā)；

清洗腔室，所述清洗腔室內(nèi)設(shè)置有清洗機(jī)構(gòu)，所述清洗機(jī)構(gòu)被配置為對經(jīng)過所述紫外線腔室照射處理之后的晶圓進(jìn)行濕法清洗，以去除晶圓上殘留的顆粒副產(chǎn)物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述紫外線燈固定于所述紫外線腔室的頂部，所述紫外線燈射出的紫外線垂直射入晶圓表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述清洗機(jī)構(gòu)包括：

基臺(tái)，被配置為承載晶圓；

噴嘴，設(shè)置于所述基臺(tái)的表面上方，被配置為向晶圓噴射清洗液。

8.一種晶圓清洗方法，其特征在于，所述方法包括：

將晶圓移入清洗腔室；

清洗腔室內(nèi)的紫外線燈對晶圓表面進(jìn)行照射，以加快晶圓上殘留揮發(fā)性氣體的揮發(fā)；

晶圓經(jīng)照射之后，清洗腔室內(nèi)的清洗機(jī)構(gòu)對晶圓進(jìn)行濕法清洗，以去除晶圓上殘留的顆粒副產(chǎn)物；

將晶圓移出清洗腔室。

9.一種晶圓清洗方法，其特征在于，所述方法包括：

將晶圓移入紫外線腔室；

紫外線腔室內(nèi)的紫外線燈對晶圓表面進(jìn)行照射，以加快晶圓上殘留揮發(fā)性氣體的揮發(fā)；

將晶圓移出紫外線腔室，移入清洗腔室；

清洗腔室內(nèi)的清洗機(jī)構(gòu)對晶圓進(jìn)行濕法清洗，以去除晶圓上殘留的顆粒副產(chǎn)物；

將晶圓移出清洗腔室。