[發明專利]MOCVD沉積物的清理裝置有效
| 申請號: | 202011293027.6 | 申請日: | 2020-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN112410755B | 公開(公告)日: | 2022-11-22 |
| 發明(設計)人: | 劉鋒;韓曉翠;鄭遠志;陳向東 | 申請(專利權)人: | 馬鞍山杰生半導體有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京華智則銘知識產權代理有限公司 11573 | 代理人: | 沈抗勇 |
| 地址: | 243000 安徽省馬鞍*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mocvd 沉積物 清理 裝置 | ||
1.MOCVD沉積物的清理裝置,包括底座(1)、反應腔(2)和腔蓋(3),其特征在于,所述反應腔(2)固定設置于所述底座(1)的上表面,所述腔蓋(3)設置于所述反應腔(2)的頂部,所述底座(1)的上表面中心處固定設有U型支撐板(4),所述U型支撐板(4)的內部設有旋轉板(5),所述旋轉板(5)的側壁通過轉軸轉動設置于所述U型支撐板(4)的內部,所述旋轉板(5)的上側固定設有反應臺(6),所述底座(1)的上表面左側固定設有第一U型塊,所述第一U型塊的內部通過第一軸銷轉動設置有氣缸(8),所述氣缸(8)的活塞桿末端通過第二軸銷轉動設置有第二U型塊,所述第二U型塊固定設置于所述反應臺(6)的下表面左側,所述反應臺(6)的上表面設有U型刮板(7),所述反應臺(6)的側壁設置有用于帶動所述U型刮板(7)移動的驅動機構,所述反應腔(2)的內部上側設有用于對所述腔蓋(3)的下表面清理的刮壁機構,所述底座(1)的上表面右側開設有沉積物收集槽,所述底座(1)的右側壁固定設有吸塵機(9),所述吸塵機(9)的輸入端固定設有吸塵管(10),所述吸塵管(10)遠離所述吸塵機(9)的一端貫穿至所述沉積物收集槽的內部,所述驅動機構包括滑軌(11)、滑塊(12)、第一絲桿(13)、殼體(14)、第一電機(15)、第一皮帶輪(16)和第二皮帶輪(17),所述滑軌(11)分別固定設置于所述反應臺(6)的前后兩側上,所述滑塊(12)位于所述滑軌(11)的內部,所述第一絲桿(13)呈橫向位于所述滑軌(11)的內部,所述第一絲桿(13)的兩端均通過第一滾動軸承分別與所述滑軌(11)的左右兩側轉動連接,所述滑塊(12)滑動設置于所述滑軌(11)的內部,所述滑塊(12)的側壁通過第一螺紋孔與所述第一絲桿(13)的桿壁螺紋設置,所述U型刮板(7)的兩端分別固定設置于兩個所述滑塊(12)的表面,所述U型刮板(7)與所述反應臺(6)的表面接觸設置,所述殼體(14)固定設置于所述反應臺(6)的左側壁上,兩個所述第一絲桿(13)的左端均貫穿至所述殼體(14)的內部,所述第一電機(15)固定設置于所述殼體(14)的內側壁上,所述第一皮帶輪(16)呈對稱固定設置于所述第一電機(15)的輸出軸上,兩個所述第一絲桿(13)位于所述殼體(14)內部的一端與第二皮帶輪(17)固定連接,所述第一皮帶輪(16)和第二皮帶輪(17)之間通過皮帶(18)傳動連接,所述刮壁機構包括第二電機(19)、第二絲桿(20)、移動塊(21)和鏟板(22),所述第二電機(19)固定設置于所述反應腔(2)的右側壁頂部,所述第二絲桿(20)呈橫向位于所述反應腔(2)的內部上側,且第二絲桿(20)的兩端均通過第二滾動軸承分別與反應腔(2)的左右內側壁轉動連接,所述第二絲桿(20)的右端貫穿至所述反應腔(2)的外部并與所述第二電機(19)的輸出端固定連接,所述移動塊(21)的側壁通過第二螺紋孔與所述第二絲桿(20)的桿壁螺紋設置,所述鏟板(22)呈豎直固定設置于所述移動塊(21)的上側,且鏟板(22)的上側與所述腔蓋(3)的下表面接觸設置,所述第二絲桿(20)的下方橫向設有限位滑桿(23),所述限位滑桿(23)的兩端分別與所述反應腔(2)的左右內側壁固定連接,所述移動塊(21)的側壁通過限位滑孔與所述限位滑桿(23)的桿壁滑動連接。
2.根據權利要求1所述的MOCVD沉積物的清理裝置,其特征在于,所述底座(1)的表面左側固定設有支撐塊(24),所述支撐塊(24)的上表面與所述反應臺(6)的下表面接觸設置。
3.根據權利要求1所述的MOCVD沉積物的清理裝置,其特征在于,所述反應腔(2)的右內側壁固定設有第一導料板(25),所述第一導料板(25)的下側延伸至所述沉積物收集槽的內部。
4.根據權利要求1所述的MOCVD沉積物的清理裝置,其特征在于,所述沉積物收集槽的內部固定設有傾斜設置的第二導料板(26),所述第二導料板(26)呈左高右低設置。
5.根據權利要求1所述的MOCVD沉積物的清理裝置,其特征在于,所述反應腔(2)的左內側壁且位于所述反應臺(6)的上方固定設有傾斜設置的第三導料板(27)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





