[發明專利]用于形成半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202011292567.2
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN113013100A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 梁順鑫;王振翰;林耕竹;上野哲嗣;陳婷婷
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種用于形成半導體器件的方法，包括：

在相應的第一端子和第二端子的第一側壁和第二側壁之間形成開口，其中，所述第一側壁和所述第二側壁彼此相對；

以第一沉積速率在所述開口的頂部上沉積第一介電材料；

以第二沉積速率在所述第一介電材料上以及在所述第一側壁和所述第二側壁上沉積第二介電材料，其中，所述第二介電材料以及所述第一側壁和所述第二側壁截留氣袋；以及

對所述第二介電材料執行處理工藝。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積所述第一介電材料包括使四甲基二硅氧烷(TMDSO)流入沉積室。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，沉積所述第一介電材料還包括使氫氣和氧氣流入所述沉積室。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積所述第二介電材料包括使四甲基二硅氧烷流入沉積室。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積所述第二介電材料包括分別在所述第一側壁和所述第二側壁上沉積所述第二介電材料的第一部分和第二部分。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，沉積所述第二介電材料的所述第一部分和所述第二部分包括沉積所述第二介電材料，直到所述第二介電材料的所述第一部分和所述第二部分彼此接觸。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二沉積速率小于所述第一沉積速率。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述處理工藝包括氧退火過程。

9.一種用于形成半導體器件的方法，包括：

在襯底上形成柵極結構和源極/漏極(S/D)接觸件；

沉積第一介電材料，其中：

所述第一介電材料的第一部分位于所述柵極結構的側壁的頂部上；并且

所述第一介電材料的第二部分位于所述源極/漏極接觸件的側壁的頂部上；

沉積第二介電材料，其中：

所述第二介電材料的第一部分位于所述第一介電材料的第一部分上和所述柵極結構的側壁上；并且

所述第二介電材料的第二部分位于所述第一介電材料的第二部分上和所述源極/漏極接觸件的側壁上，其中，繼續沉積所述第二介電材料，直到所述第二介電材料的第一部分和第二部分彼此接觸；以及

對沉積的第二介電材料執行氧處理工藝。

10.一種用于形成半導體器件的方法，包括：

在襯底的頂面上方以及在半導體器件的第一端子與第二端子之間形成開口；

沉積第一介電材料，其中：

所述第一介電材料的第一部分位于所述第一端子的側壁的頂部上；并且

所述第一介電材料的第二部分位于所述第二端子的側壁的頂部上；沉積第二介電材料，其中：

所述第二介電材料的第一部分位于所述第一介電材料的第一部分上；并且

所述第二介電材料的第二部分位于所述第一介電材料的第二部分上，其中，在由所述第二介電材料、所述第一端子和所述第二端子以及所述襯底圍繞的所述開口中截留有氣袋；以及

對沉積的第二介電材料執行氧處理工藝。