[發明專利]反相雙饋電式微波探測模塊

在審

• 申請號: 202011292276.3
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112510362A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 鄒高迪;鄒新
• 申請（專利權）人: 深圳邁睿智能科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/50
• 分類號: H01Q1/50;H01Q1/48;H01Q1/38;H01Q23/00;G01S7/02
• 代理公司: 寧波理文知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 孟湘明

1.一反相雙饋電式微波探測模塊，其特征在于，包括：

一饋源，其中所述饋源被設置允許被供電并以相應供電電源的正極或地極為參考地極輸出一第一激勵信號和與所述第一激勵信號反相的一第二激勵信號；

一參考地，其中所述參考地被設置為片狀導電層；以及

至少一輻射元，其中各所述輻射元被設置為片狀導電層并與所述參考地以兩所述片狀導電層的層面趨于平行的狀態相間隔，其中各所述輻射元等效具有兩電學饋電點，其中各所述輻射元的兩所述電學饋電點的連線經過所述輻射元的物理中心點，其中各所述輻射元被設置于其中一所述電學饋電點接入所述第一激勵信號和于另一所述電學饋電點接入所述第二激勵信號，以形成對所述輻射元的反相雙饋電。

2.根據權利要求1所述的反相雙饋電式微波探測模塊，其中所述饋源具有被設置為三極管或場效應管的一三端子晶體管，其中在所述三端子晶體管被設置為三極管的狀態，各所述輻射元于其中一所述電學饋電點被電性耦合于所述三極管的發射極或基極，和于另一所述電學饋電點被電性耦合于所述三極管的集電極，其中在所述三端子晶體管被設置為場效應管的狀態，各所述輻射元于其中一所述電學饋電點被電性耦合于所述場效應管的源極或柵極，和于另一所述電學饋電點被電性耦合于所述場效應管的漏極，如此以在所述饋源被供電的狀態，形成對所述輻射元的反相雙饋電。

3.根據權利要求2所述的反相雙饋電式微波探測模塊，其中所述饋源以模擬電路形態被實施為具有所述三端子晶體管的振蕩電路。

4.根據權利要求3所述的反相雙饋電式微波探測模塊，其中所述三端子晶體管被設置為三極管，其中所述輻射元于其中一所述電學饋電點經一等效電容被電性耦合于所述三極管的集電極，和于另一所述電學饋電點經另一等效電容被電性耦合于所述三極管的發射極，其中所述等效電容為在對應所述第一激勵信號和所述第二激勵信號的頻率的電信號下具有電容特性的電路或電子元件。

5.根據權利要求4所述的反相雙饋電式微波探測模塊，其中至少一所述等效電容被實施為電容元件。

6.根據權利要求4所述的反相雙饋電式微波探測模塊，其中至少一所述等效電容被實施為微帶分布電容。

7.根據權利要求4所述的反相雙饋電式微波探測模塊，其中所述反相雙饋電式微波探測模塊進一步包括一微帶混頻器，其中各所述輻射元于所述輻射元的其中一所述電學饋電點經所述微帶混頻器被電性耦合于所述三端子晶體管。

8.根據權利要求2所述的反相雙饋電式微波探測模塊，其中所述饋源以集成電路形態被設計而被設置為集成有所述三端子晶體管的一微波芯片，其中所述微波芯片具有兩發射端，其中在所述三端子晶體管被設置為三極管的狀態，所述微波芯片的兩所述發射端分別被電性耦合于所述三極管的集電極和發射極，其中在所述三端子晶體管被設置為場效應管的狀態，所述微波芯片的兩所述發射端分別被電性耦合于所述場效應管的源極和漏極，以于其中一所述發射端輸出所述第一激勵信號和于另一所述發射端輸出與所述第一激勵信號反相的所述第二激勵信號。

9.根據權利要求2所述的反相雙饋電式微波探測模塊，其中所述饋源以半集成電路形態被設計而被設置為外接有所述三端子晶體管的微波芯片，其中所述微波芯片具有對應輸出所述第一激勵信號的一發射端，其中在所述三端子晶體管被設置為三極管的狀態，所述微波芯片的所述發射端被電性耦合于所述三極管的基極或發射極，以于所述發射端輸出所述第一激勵信號和于所述三極管的集電極輸出所述第二激勵信號，其中在所述三端子晶體管被設置為場效應管的狀態，所述微波芯片的所述發射端被電性耦合于所述場效應管的柵極或源極，以于所述發射端輸出所述第一激勵信號和于所述場效應管的源極漏極輸出所述第二激勵信號。

10.根據權利要求1所述的反相雙饋電式微波探測模塊，其中所述饋源被設置為具有兩個發射端的微波芯片，其中所述微波芯片被設置于其中一所述發射端輸出所述第一激勵信號和于另一所述發射端輸出與所述第一激勵信號反相的所述第二激勵信號。