[發(fā)明專利]集成電路及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011292041.4
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN113299645A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王朝勛;王美勻;趙高毅;薛婉容
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路(IC)，包括：

襯底；

源極/漏極區(qū)域，位于所述襯底的頂部上面并且插入到所述襯底的頂部中；

柵電極，與所述襯底上方的所述源極/漏極區(qū)域鄰接；

第一層級接觸件，位于所述源極/漏極區(qū)域上面并且電耦合至所述源極/漏極區(qū)域；

第二層級接觸件，位于所述第一層級接觸件和所述柵電極上面；以及

柵極通孔，從所述第二層級接觸件延伸至所述柵電極，其中，所述第二層級接觸件的底面從所述第一層級接觸件向下傾斜至所述柵極通孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，還包括金屬插塞和金屬阻擋件，所述金屬插塞和所述金屬阻擋件限定所述第二層級接觸件和所述柵極通孔，并且其中，所述金屬阻擋件杯狀地托住所述金屬插塞的底側(cè)并且將所述金屬插塞與所述第一層級接觸件分隔開。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，還包括：

第一層間介電(ILD)層，位于所述襯底上方；

第二層間介電層，位于所述第一層間介電層上方；以及

蝕刻停止層，位于下部介電界面和上部介電界面處的所述第一層間介電層之和所述第二層間介電層之間并且分別直接接觸所述第一層間介電層之和所述第二層間介電層，其中，所述第一層級接觸件和所述第二層級接觸件在相對于所述下部介電界面凹進的內(nèi)部接觸界面處直接接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，還包括第一插塞，所述第一插塞限定所述第二層級接觸件和所述柵極通孔，并且由單一材料組成，其中，所述第一層級接觸件包括第二插塞和包裹所述第二插塞的底部的擴散阻擋件，并且其中，所述第一插塞位于所述擴散阻擋件的頂面和所述第二插塞的頂面上面并且直接接觸所述擴散阻擋件的頂面和所述第二插塞的頂面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述第二層級接觸件的底面在第一方向上從所述第一層級接觸件向下傾斜至所述柵極通孔，其中，所述第二層級接觸件在所述第一方向上橫向伸長，并且其中，所述第一層級接觸件在垂直于所述第一方向的第二方向上橫向伸長。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述第二層級接觸件的底面相對于所述柵極通孔的側(cè)壁成30-70度的角度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述第二層級接觸件的頂面與所述第二層級接觸件上方的通孔和線完全間隔開。

8.一種集成電路(IC)，包括：

襯底；

器件，位于所述襯底上面并且包括柵電極，其中，所述襯底至少部分地限定所述器件的有源區(qū)域(AR)；

有源區(qū)域接觸件，沿著所述柵電極的側(cè)壁從所述有源區(qū)域延伸至所述有源區(qū)域接觸件的頂面，所述有源區(qū)域接觸件升高至所述柵電極的頂面之上；以及

柵極至接觸件(GC)結(jié)構(gòu)，位于所述有源區(qū)域接觸件和所述柵電極上面，其中，所述柵極至接觸件結(jié)構(gòu)從所述柵電極的頂面延伸至所述有源區(qū)域接觸件的頂面，其中，所述柵極至接觸件結(jié)構(gòu)限定所述柵極通孔，所述柵極通孔延伸至所述柵電極的頂面，并且與所述有源區(qū)域接觸件間隔開，并且其中，所述柵極至接觸件結(jié)構(gòu)的寬度從所述柵極通孔的頂部到所述有源區(qū)域接觸件的頂面連續(xù)增大。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路，其中，所述器件包括與所述有源區(qū)域中的所述柵電極鄰接的源極/漏極區(qū)域，并且其中，所述有源區(qū)域接觸件從所述源極/漏極區(qū)域延伸至所述有源區(qū)域接觸件的頂面。

10.一種用于形成集成電路(IC)的方法，包括：

形成穿過第一層間介電(ILD)層延伸至半導體器件的有源區(qū)域的有源區(qū)域(AR)接觸件；

沉積蝕刻停止層(ESL)和第二層間介電層，所述蝕刻停止層和所述第二層間介電層覆蓋所述第一層間介電層和所述有源區(qū)域接觸件，其中，所述蝕刻停止層位于所述第一層間介電層和所述第二層間介電層之間；

對所述蝕刻停止層以及所述第一層間介電層和所述第二層間介電層執(zhí)行第一蝕刻，以形成暴露所述半導體器件的柵電極的第一開口；

對所述第二層間介電層執(zhí)行第二蝕刻，所述第二蝕刻在所述蝕刻停止層上停止，以形成位于所述有源區(qū)域接觸件上面并且與所述第一開口重疊的第二開口；

穿過所述第二開口對所述蝕刻停止層執(zhí)行第三蝕刻以暴露所述有源區(qū)域接觸件，其中,所述第三蝕刻使所述第二開口的底部從所述有源區(qū)域接觸件向下傾斜至所述第一開口；以及

形成柵極至接觸件(GC)結(jié)構(gòu)，所述柵極至接觸件結(jié)構(gòu)填充所述第一開口和所述第二開口并且將所述柵電極電連接至所述有源區(qū)域接觸件。