[發(fā)明專利]光能量收集微結(jié)構(gòu)、感光元件和光學(xué)器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011292023.6
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號(hào): CN112366236B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 常穎;劉曉;韓曉微
• 申請（專利權(quán)）人: 沈陽大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/0232
• 分類號(hào): H01L31/0232
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光能量收集微結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

納米粒子二聚體陣列，所述納米粒子二聚體陣列由周期排列的納米粒子二聚體構(gòu)成；所述納米粒子二聚體的排列方向垂直于入射光的傳播方向；所述納米粒子二聚體中的第一納米粒子和第二納米粒子在所述入射光的傳播方向上錯(cuò)位分布，且所述第一納米粒子和所述第二納米粒子在所述入射光偏振方向錯(cuò)位分布；

在所述入射光的激勵(lì)下，所述第一納米粒子和所述第二納米粒子分別被激發(fā)，產(chǎn)生第一局域表面等離激元共振和第二局域表面等離激元共振；所述第一局域表面等離激元共振和所述第二局域表面等離激元共振通過橫向耦合和縱向耦合，實(shí)現(xiàn)表面等離激元共振增強(qiáng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光能量收集微結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一納米粒子和所述第二納米粒子在所述入射光偏振方向的錯(cuò)位距離不超過所述納米粒子二聚體之間的較小間距的一半。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光能量收集微結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述納米粒子二聚體之間的間距為370nm-1000nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光能量收集微結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一納米粒子和所述第二納米粒子在所述入射光傳播方向緊密分布。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光能量收集微結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一納米粒子和所述第二納米粒子的半徑為10nm-100nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光能量收集微結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述納米粒子二聚體為惰性金屬納米粒子二聚體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的光能量收集微結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述納米粒子二聚體中的納米粒子的半徑與所述納米粒子二聚體之間的間距的比值為1:10-1:7。

8.一種感光元件，其特征在于，包括權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的光能量收集微結(jié)構(gòu)。

9.一種光學(xué)器件，其特征在于，包括權(quán)利要求8所述的感光元件。