[發(fā)明專利]一種低頻寬帶壓電聲學超材料布局結構及布局方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011291949.3 | 申請日: | 2020-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN112530395B | 公開(公告)日: | 2023-04-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳圣兵;賀旭照;張浩;宋玉寶;武龍 | 申請(專利權)人: | 中國空氣動力研究與發(fā)展中心 |
| 主分類號: | G10K11/162 | 分類號: | G10K11/162;G10K9/122 |
| 代理公司: | 重慶市信立達專利代理事務所(普通合伙) 50230 | 代理人: | 陳炳萍 |
| 地址: | 621000 *** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 低頻 寬帶 壓電 聲學 材料 布局 結構 方法 | ||
1.一種低頻寬帶壓電聲學超材料布局結構,其特征在于,包括若干元胞,該壓電聲學超材料通過元胞在二維平面內n×n周期性陣列得到,所述元胞為正方形結構,每個元胞包括壓電片(1)和基體板(2),所有元胞的基體板(2)共同構成外部基體板(2),壓電片(1)為四角星型,壓電片(1)的四個角被矩形截斷;基體板(2)正反兩面分別設有兩個壓電片(1),所述的兩個壓電片(1)并聯(lián)后與分流電感電路電性連接,所述兩個壓電片(1)都是厚度方向極化,且極化方向相同;相鄰元胞間的壓電片(1)不接觸。
2.根據(jù)權利要求1所述的低頻寬帶壓電聲學超材料布局結構,其特征在于,所述壓電片(1)材料為壓電陶瓷材料。
3.根據(jù)權利要求1所述的低頻寬帶壓電聲學超材料布局結構,其特征在于,所述壓電片(1)厚度τ為0.1~1mm,壓電片(1)距離所在元胞邊界距離γ為0~0.5mm。
4.一種低頻寬帶壓電聲學超材料布局結構的設計方法,基于權利要求1至3所述的低頻寬帶壓電聲學超材料布局結構,其特征在于,包括以下步驟:
S1:根據(jù)外部工程需要,確定基體板(2)的厚度h;根據(jù)基體板(2)的尺寸和材料,確定壓電片(1)厚度τ;每個元胞設為正方形,根據(jù)外部基體板(2)尺寸確定元胞的邊長a;根據(jù)附加質量約束,確定壓電片(1)面積填充比λ;根據(jù)相鄰壓電片(1)電極的絕緣性要求,確定壓電片(1)距離所在元胞邊界距離γ;
S2:根據(jù)目標帶隙位置確定分流電感L,確定方法為:
S3:壓電片(1)的角與水平線夾角為θ,根據(jù)壓電片(1)面積填充比λ確定θ:
S4:壓電片(1)包括位于中部的正方形和以正方形為底邊的四個相同梯形,壓電片(1)的梯形上底邊長為δ,梯形的下底邊長為ξ,梯形的高為η;計算方法如下:
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