[發(fā)明專利]晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011291535.0
• 申請(qǐng)日: 2020-11-18
• 公開（公告）號(hào): CN112420541A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜蘭;成鑫華;沈耀庭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在當(dāng)前晶圓上設(shè)置多個(gè)測(cè)試單元，在所述當(dāng)前晶圓上完成晶圓產(chǎn)品的源漏注入，所述源漏注入也同時(shí)注入到所述測(cè)試單元中；

步驟二、采用應(yīng)力記憶技術(shù)在所述當(dāng)前晶圓表面形成一層應(yīng)力氮化硅；

步驟三、對(duì)所述當(dāng)前晶圓進(jìn)行所述晶圓產(chǎn)品的源漏退火工藝；

步驟四、去除所述當(dāng)前晶圓上的所述應(yīng)力氮化硅層；

步驟五、測(cè)試各所述測(cè)試單元的方塊電阻并形成所述當(dāng)前晶圓上的測(cè)試單元方塊電阻面內(nèi)分布并通過(guò)所述測(cè)試單元方塊電阻面內(nèi)分布得到所述晶圓產(chǎn)品的源漏退火工藝在所述當(dāng)前晶圓上的當(dāng)前晶圓溫度面內(nèi)分布；

步驟六、根據(jù)所述當(dāng)前晶圓溫度面內(nèi)分布調(diào)整所述晶圓產(chǎn)品的源漏退火工藝以提高下一晶圓溫度面內(nèi)分布的均勻性。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：同一種所述晶圓產(chǎn)品在多片晶圓上生產(chǎn)，在步驟六完成后，以所述下一晶圓作為所述當(dāng)前晶圓，重復(fù)步驟一至步驟六。

3.如權(quán)利要求2所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：所述當(dāng)前晶圓由半導(dǎo)體襯底組成，所述下一晶圓和所述當(dāng)前晶圓相同。

4.如權(quán)利要求3所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底包括硅襯底。

5.如權(quán)利要求4所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：所述晶圓產(chǎn)品的半導(dǎo)體器件包括邏輯器件或存儲(chǔ)器件。

6.如權(quán)利要求5所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體器件包括柵極結(jié)構(gòu)，所述源漏注入自對(duì)準(zhǔn)在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成源區(qū)和漏區(qū)；溝道區(qū)位于所述源區(qū)和所述漏區(qū)之前且被所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋。

7.如權(quán)利要求6所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：所述柵極結(jié)構(gòu)包括依次疊加的柵介質(zhì)層和柵極導(dǎo)電材料層。

8.如權(quán)利要求7所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：所述柵介質(zhì)層為柵氧化層，或者所述柵介質(zhì)層為高介電常數(shù)層。

9.如權(quán)利要求7所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：所述柵極導(dǎo)電材料層為多晶硅柵或者為金屬柵。

10.如權(quán)利要求1所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：步驟五中，采用四探針法測(cè)量所述測(cè)試單元的方塊電阻。

11.如權(quán)利要求1所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：步驟一、所述測(cè)試單元設(shè)置在所述當(dāng)前晶圓的切割帶上。

12.如權(quán)利要求11所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：所述切割帶的寬度大于等于65μm。

13.如權(quán)利要求12所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：各所述測(cè)試單元的尺寸大于等于3mm*65μm。

14.如權(quán)利要求11所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：所述測(cè)試單元均勻分布在所述當(dāng)前晶圓上。

15.如權(quán)利要求14所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：所述測(cè)試單元在所述當(dāng)前晶圓上的分布位置包括上部、下部、左部、右部和中部。

16.如權(quán)利要求14或15所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：所述當(dāng)前晶圓上的所述測(cè)試單元的個(gè)數(shù)大于等于10。

17.如權(quán)利要求5所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體器件的技術(shù)節(jié)點(diǎn)包括32nm、28nm、22nm和20nm以下。

18.如權(quán)利要求1所述的晶圓產(chǎn)品源漏退火工藝的監(jiān)控方法，其特征在于：步驟三中，所述晶圓產(chǎn)品的源漏退火工藝的溫度為900℃～1060℃。