[發明專利]靜電釋放電路及顯示面板

有效

• 申請號: 202011290728.4
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112419956B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 蔡振飛
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G09G3/20
• 分類號: G09G3/20;H02H9/04
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種靜電釋放電路，其特征在于，包括：

開關模塊，用于根據靜電信號線載入的靜電信號類型選擇靜電釋放路徑，包括與所述靜電信號線電性連接的第三晶體管和第四晶體管，所述第三晶體管和所述第四晶體管的類型不同；

釋放模塊，與所述開關模塊連接，用于釋放所述靜電信號，并與所述開關模塊共同用于防止所述靜電釋放電路漏電；所述釋放模塊包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管電性連接于所述第三晶體管和第一電壓端之間，所述第二晶體管電性連接于所述第四晶體管和第二電壓端之間，所述第一晶體管與所述第二晶體管、所述第三晶體管的類型不同；

電位控制模塊，與所述開關模塊、所述釋放模塊連接，包括第一電容和第二電容，所述第一電容的第一端同時與所述第一晶體管的柵極、所述第三晶體管的柵極連接，所述第一電容的第二端同時與所述第一晶體管的源極或漏極中的另一者、所述第三晶體管的源極或漏極中的一者連接；所述第二電容的第一端同時與所述第二晶體管的柵極、所述第四晶體管的柵極電性連接，所述第二電容的第二端同時與所述第二晶體管的源極或漏極中的另一者、所述第四晶體管的源極或漏極中的一者連接。

2.根據權利要求1所述的靜電釋放電路，其特征在于，所述第一晶體管包括硅晶體管、氧化物晶體管中的其中之一，所述第二晶體管包括硅晶體管、氧化物晶體管中的其中另一。

3.根據權利要求1所述的靜電釋放電路，其特征在于，所述第一晶體管及所述第四晶體管為氧化物晶體管，所述第二晶體管及所述第三晶體管為硅晶體管。

4.根據權利要求1所述的靜電釋放電路，其特征在于，所述第一電壓端的電壓值大于所述第二電壓端的電壓值，所述第一晶體管及所述第四晶體管為N型晶體管，所述第二晶體管及所述第三晶體管為P型晶體管。

5.一種顯示面板，其特征在于，包括靜電釋放電路，所述靜電釋放電路包括：

第一晶體管，所述第一晶體管的源極或漏極中的一者與第一電壓端連接；

第二晶體管，與所述第一晶體管具有不同的半導體層，所述第二晶體管的源極或漏極中的一者與第二電壓端連接；

第三晶體管，所述第三晶體管的源極或漏極中的一者與所述第一晶體管的所述源極或所述漏極中的另一者連接，所述第三晶體管的所述源極或所述漏極中的另一者與靜電信號線連接；

第四晶體管，所述第四晶體管的源極或漏極中的一者與所述第二晶體管的所述源極或所述漏極中的另一者連接，所述第四晶體管的所述源極或所述漏極中的另一者與所述靜電信號線連接；

第一電容，所述第一電容的第一端同時與所述第一晶體管的柵極、所述第三晶體管的柵極連接，所述第一電容的第二端同時與所述第一晶體管的所述源極或所述漏極中的另一者、所述第三晶體管的所述源極或所述漏極中的一者連接；

第二電容，所述第二電容的第一端同時與所述第二晶體管的柵極、所述第四晶體管的柵極連接，所述第二電容的第二端同時與所述第二晶體管的所述源極或所述漏極中的另一者、所述第四晶體管的所述源極或所述漏極中的一者連接。

6.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一晶體管包括硅半導體層、氧化物半導體層中的其中之一，所述第二晶體管包括硅半導體層、氧化物半導體層中的其中另一。

7.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述靜電信號線包括數據線、掃描線中的至少一種。

8.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一電容的下極板與所述第二電容的下極板不同層。