[發明專利]一種Micro LED背板及其制造方法

在審

• 申請號: 202011289908.0
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112397492A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 黃安
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L21/67;G09F9/33
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種Micro LED背板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：通過黃光刻蝕成膜工藝在暫態基板上形成外壁包覆絕緣層的Micro LED；

S2：首先在背板襯底上刻蝕形成陣列設置的凹槽，然后在凹槽的底部沉積第一金屬電極線，最后在凹槽的內部填充防光串金屬層；

S3：首先通過轉移裝置吸取暫態基板上的Micro LED至背板襯底的凹槽內的防光串金屬層的上方；然后加熱防光串金屬層使得防光串金屬層熔融；最后通過熱壓貼使得MicroLED被壓入凹槽內并被熔融的防光串金屬層包裹，第一金屬電極線位于Micro LED的底部，冷卻防光串金屬層使防光串金屬層固化并包裹Micro LED側壁；

S4：首先依序形成絕緣隔離層和第二金屬電極線，第二金屬電極線位于絕緣隔離層上在空間上不穿過Micro LED；然后對Micro LED頂部絕緣層及絕緣隔離層進行刻蝕形成位于Micro LED頂部的開孔，形成通過開孔與Micro LED連接的透明電極。

2.一種Micro LED背板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：通過黃光刻蝕成膜工藝在暫態基板上形成外壁包覆絕緣層的Micro LED，MicroLED100上形成貫穿絕緣層的第一開孔；

S2：首先在背板襯底上刻蝕形成陣列設置的凹槽，然后在凹槽的底部沉積第一金屬電極線，最后在凹槽的內部填充防光串金屬層；

S3：首先通過轉移裝置吸取暫態基板上的Micro LED至背板襯底的凹槽內的防光串金屬層的上方；然后加熱防光串金屬層使得防光串金屬層熔融；最后通過熱壓貼使得MicroLED被壓入凹槽內并被熔融的防光串金屬層包裹，第一金屬電極線位于Micro LED的底部，冷卻防光串金屬層使防光串金屬層固化并包裹Micro LED側壁；

S4：首先依序形成絕緣隔離層和第二金屬電極線；然后對絕緣隔離層進行刻蝕形成位于第一開孔上的第二開孔，且第一開孔上的第二開孔形成連通的開孔；最后形成通過連通開孔與Micro LED連接的透明電極。

3.根據權利要求1或2所述的Micro LED背板的制造方法，其特征在于，防光串金屬層采用低熔點金屬或合金且具有反光性質的金屬制成。

4.根據權利要求1或2所述的Micro LED背板的制造方法，其特征在于，防光串金屬層為In或Sn金屬。

5.根據權利要求1或2所述的Micro LED背板的制造方法，其特征在于，防光串金屬層的厚度超過后續Micro LED鍵合后Micro LED發光層在凹槽內的高度，不超過Micro LED的高度。

6.根據權利要求1或2所述的Micro LED背板的制造方法，其特征在于，步驟S1的具體步驟為：

S11：通過貼合工藝在暫態基板上形成緩沖層、底部鍵合金屬層和外延層；

S12：對底部鍵合金屬層和外延層進行刻蝕形成頂部直徑大于底部直徑且陣列設置的Micro LED；

S13：沉積絕緣材料層，對絕緣材料層進行刻蝕形成包裹Micro LED外壁的絕緣層。

7.一種Micro LED背板，其包括顯示背板襯底以及陣列設置在背板襯底內的凹槽，其特征在于，還包括填充在凹槽內的防光串金屬層、位于凹槽內且側壁和頂部包覆絕緣層的Micro LED、位于凹槽底部且位于Micro LED底部的第一金屬電極線、第二金屬電極線、位于第一金屬電極線和第二金屬電極線之間的絕緣隔離層、設置在Micro LED上的開孔以及通過開孔與Micro LED連接的透明電極。

8.根據權利要求7所述的Micro LED背板，其特征在于，防光串金屬層的厚度超過MicroLED在凹槽內的發光層的高度，不超過Micro LED的整體高度。

9.根據權利要求7所述的Micro LED背板，其特征在于，防光串金屬層為In或Sn金屬。

10.根據權利要求7所述的Micro LED背板，其特征在于，Micro LED的頂部直徑大于Micro LED的底部直徑。