[發明專利]一種用于多晶硅還原爐的啟動裝置

在審

• 申請號: 202011289051.2
• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN112194137A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 趙云松;王清華;陳文吉;楊濤
• 申請（專利權）人: 新疆大全新能源股份有限公司
• 主分類號: C01B33/021
• 分類號: C01B33/021
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 孟阿妮;張小勇

本發明涉及多晶硅生產技術領域，尤其涉及一種用于多晶硅還原爐的啟動裝置，其包括:支撐體、微波發生器和控制機構；支撐體上設置有行走機構，用于支撐支撐體移動；支撐體上設置有機械臂；微波發生器設置在機械臂上，能夠被機械臂驅動移動；微波發生器上具有發射口；發射口用于與還原爐的視鏡口對應；控制機構設置在支撐體上，與微波發生器連接，用于控制微波發生器；控制機構與機械臂連接，用于控制機械臂；控制機構上設置有水管，用于冷卻水的進出；水管上具有活接頭；控制機構上設置氣流口，用于充入空氣；氣流口上具有快速接頭；控制機構上設置電源線纜，用于與電源連接。采用本發明能夠減少啟動時間，提升生產效率。

技術領域

本發明涉及多晶硅生產技術領域，尤其涉及一種用于多晶硅還原爐的啟動裝置。

背景技術

多晶硅生產中的硅芯屬于半導體，在常溫下的電阻率非常高，隨著溫度的變化很顯著，而且隨著溫度的上升，它的電阻率逐漸減少，即導電能力逐漸增強。多晶硅的生產，首先需要啟動，使高阻值硅芯預熱、導電、升溫，然后再進行還原沉積、生長。

現有技術中啟動主要有兩種方案，一是為克服硅芯棒的冷電阻，對純硅芯棒加上高電壓使電流強行通過硅芯棒，隨著溫度升高，電阻率逐漸下降，達到一定溫度后再轉入中、低控制電源，即高壓啟動。此種方式比較直接，但其缺點是高壓電控制設備比較復雜，加熱啟動程序也比較復雜，導致生產成本大幅度上升；而且，高壓擊穿受限于電極絕緣，其電壓不能升高(一般只能控制在3500～7500V)，造成啟動時間長(平均在3小時左右)，嚴重影響還原爐在線時間而減少產量。不僅增加了啟動電耗，并且電絕緣經常會被擊穿，增加了維護工作量和檢修成本。二是采用石墨加熱、等離子加熱、鹵素燈加熱等外加熱方式，將還原爐爐溫加熱至300℃左右，還原電源輸出中壓，使硅芯導通，完成啟動過程；然后繼續加熱進行化學氣相沉積，完成還原生長；此方式啟動，操作麻煩、啟動時間長、效率低、啟動成功率低、影響硅純度、還原設備復雜等弊端。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種用于多晶硅還原爐的啟動裝置，主要目的在于減少啟動時間，提升生產效率。

為達到上述目的，本發明主要提供如下技術方案：

本發明的實施例提供一種用于多晶硅還原爐的啟動裝置，包括:支撐體、微波發生器和控制機構；

所述支撐體上設置有行走機構，用于支撐所述支撐體移動；

所述支撐體上設置有機械臂；

所述微波發生器設置在所述機械臂上，能夠被所述機械臂驅動移動；所述微波發生器上具有發射口；所述發射口用于與還原爐的視鏡口對應；

所述控制機構設置在所述支撐體上，與所述微波發生器連接，用于控制所述微波發生器；

所述控制機構與機械臂連接，用于控制所述機械臂；

所述控制機構上設置有水管，用于冷卻水的進出；所述水管上具有活接頭；

所述控制機構上設置氣流口，用于充入空氣；所述氣流口上具有快速接頭；

所述控制機構上設置電源線纜，用于與電源連接。

進一步地，還包括：驅動機構；

所述驅動機構與所述行走機構連接，用于驅動所述行走機構；

所述驅動機構與所述控制機構連接，用于控制所述驅動機構。

進一步地，所述發射口上設置有防護構件。

進一步地，所述防護構件為玻璃材質。

進一步地，所述發射口的外壁上設置有隔熱材料。

進一步地，所述水管為軟管。

進一步地，所述發射口為圓臺結構。