[發明專利]一種石墨表層抗氧化SiC均勻循環涂層設備在審
| 申請號: | 202011288815.6 | 申請日: | 2020-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN112358324A | 公開(公告)日: | 2021-02-12 |
| 發明(設計)人: | 趙明賢 | 申請(專利權)人: | 趙明賢 |
| 主分類號: | C04B41/87 | 分類號: | C04B41/87;C04B35/52 |
| 代理公司: | 杭州西木子知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33325 | 代理人: | 李開騰 |
| 地址: | 843000 新疆維吾爾自治區阿克蘇*** | 國省代碼: | 新疆;65 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石墨 表層 氧化 sic 均勻 循環 涂層 設備 | ||
1.一種石墨表層抗氧化SiC均勻循環涂層設備,包括反應釜(2),所述反應釜(2)的頂部開口設置,且其頂部設置有升降的艙蓋(21),其特征在于,還包括:
石墨化罐組(3),所述石墨化罐組(3)設置于所述反應釜(2)的底部,其內部設置有用于盛裝配比好的Si與SiO2的粉末混合物的容腔(31),該容腔(31)的四周等距設置有若干的與所述容腔(31)底部連通的進氣通道(32),且該容腔(31)的上部設置有連通的排氣管道(33);
涂層平臺(4),所述涂層平臺(4)安裝于所述石墨化罐組(3)的正上方,其正對所述排氣管道(33)的排氣口設置,該涂層平臺(4)上放置石墨工件(10);
鼓風機構(5),所述鼓風機構(5)安裝于所述涂層平臺(4)的上方,其安裝于所述艙蓋(21)上,其對所述進氣通道(32)鼓入氣體,使所述石墨化罐組(3)內生成的SiO氣體通過所述排氣管道(33)排送到所述石墨工件(10)處。
2.根據權利要求1所述的一種石墨表層抗氧化SiC均勻循環涂層設備,其特征在于,所述石墨化罐組(3)包括內膽(34)、外膽(35)與封蓋(36),所述內膽(34)內部設置有容腔(31),所述內膽(34)及所述外膽(35)之間設置有所述進氣通道(32),所述封蓋(36)罩設于所述內膽(34)的頂部,所述排氣管道(33)穿設與所述封蓋(36)上。
3.根據權利要求2所述的一種石墨表層抗氧化SiC均勻循環涂層設備,其特征在于,所述進氣通道(32)與所述容腔(31)的連通位置處設置有進氣閥組(37),所述排氣管道(33)上設置有排氣閥組(38),所述進氣閥組(37)及所述排氣閥組(38)均由所述鼓風機構(5)控制啟閉。
4.根據權利要求3所述的一種石墨表層抗氧化SiC均勻循環涂層設備,其特征在于,所述進氣閥組(37)包括集氣管(371)及進氣管(372),所述集氣管(371)設置于所述外膽(35)的底部,其側壁與所述進氣通道(32)連通,且其頂部設置有半圓形的第一閥板(373),所述進氣管(372)與所述集氣管(371)同軸設置,其旋轉安裝于所述內膽(34)上,且其與所述容腔(31)連通,該進氣管(372)的底部與所述集氣管(371)的頂部抵觸設置,且抵觸位置設置有與所述第一閥板(373)配合的呈半圓形設置的第二閥板(374),所述進氣管(372)與所述排氣管道(33)一體連接設置,且連接部位隔斷設置。
5.根據權利要求3所述的一種石墨表層抗氧化SiC均勻循環涂層設備,其特征在于,所述排氣閥組(38)包括設置于所述排氣管道(33)頂部開口處呈半圓形設置的第一閥門板(381)及與所述排氣管道(33)同軸設置的排氣罩(382),該排氣罩(382)的底部與所述排氣管道(33)抵觸位置處設置有于所述第一閥門板(381)配合的呈半圓形設置的第二閥門板(383)。
6.根據權利要求1所述的一種石墨表層抗氧化SiC均勻循環涂層設備,其特征在于,所述涂層平臺(4)與所述排氣管道(33)正對的位置處為網格設置,且該位置處架設有用于放置所述石墨工件(10)的放置架(41),該放置架(41)鏤空設置。
7.根據權利要求3所述的一種石墨表層抗氧化SiC均勻循環涂層設備,其特征在于,所述鼓風機構(5)包括:
驅動電機(51),所述驅動電機(51)安裝于所述艙蓋(21)上,其位于所述反應釜(2)的外部;
扇葉(52),若干的所述扇葉(52)呈圓周等距排列于所述驅動電機(51)的四周,且其由所述驅動電機(51)通過安裝于所述艙蓋(21)上的行星齒輪組(53)驅動同步旋轉;以及
循環氣路管組(54),所述循環氣路管組(54)安裝于所述艙蓋(21)與所述石墨化罐組(3)之間,其與所述進氣通道(32)一一對應連通設置,且其吸取所述涂層平臺(4)上的氣體導入至所述石墨化罐組(3)內,并將所述石墨化罐組(3)內的SiO氣體吹出。
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