[發明專利]高對比度光柵垂直腔面發射激光器及其制備方法

在審

• 申請號: 202011286924.4
• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN112332211A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 廖文龍;沈志強;祁繼鵬
• 申請（專利權）人: 深圳博升光電科技有限公司
• 主分類號: H01S5/028
• 分類號: H01S5/028;H01S5/183
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

1.一種高對比度光柵垂直腔面發射激光器，包括從下至上設置的第一反射器層、有源層、第二反射器層及光柵層，其特征在于，

所述光柵層上依次設置有的圖案化的第一保護層及第二保護層，所述光柵層設置為包括光柵條的圖案化膜層，所述第一保護層覆蓋所述光柵條，所述第一保護層及所述第二保護層存在刻蝕選擇比。

2.根據權利要求1所述的高對比度光柵垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述第二保護層的厚度大于所述第一保護層的厚度。

3.根據權利要求1所述的高對比度光柵垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述第二保護層的刻蝕速率大于所述第一保護層的刻蝕速率。

4.根據權利要求1所述的高對比度光柵垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述第二保護層選擇性刻蝕為露出所述光柵條上的所述第一保護層的圖案化膜層，或者選擇性刻蝕為厚度變薄的膜層。

5.根據權利要求1-4任一項所述的高對比度光柵垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述第一保護層及所述第二保護層設置為包括SiO2、SiN、TiO2、AlN、Ta2O5、AlOx及HfO2中至少任一種或其混合物的單層或復合膜層。

6.根據權利要求1-4任一項所述的高對比度光柵垂直腔面發射激光器，其特征在于，還包括：

N型金屬電極層、襯底及P型金屬電極層，所述襯底設置在所述N型金屬電極層上，所述第一反射器層設置在所述襯底上，所述P型金屬電極層設置在所述光柵層上，且所述P型金屬電極層位于所述光柵層異于設置光柵條的位置。

7.一種如權利要求1-6任一項所述的高對比度光柵垂直腔面發射激光器制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

在襯底上依次形成第一反射器層、有源層及第二反射器層；

在所述第二反射器層上依次形成圖案化的光柵層；

在所述光柵層上形成圖案化的第一保護層；

在所述第一保護層上沉積第二保護層，所述第一保護層與所述第二保護層存在刻蝕選擇比；

對所述第二保護層進行選擇性刻蝕，形成圖案化的第二保護層。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述第二保護層的厚度大于所述第一保護層的厚度。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，形成所述第一保護層及所述第二保護層包括：

利用原子層沉積工藝、等離子體增強化學的氣相沉積工藝、物理氣象淀積工藝、脈沖激光淀積工藝或等離子體增強原子沉積工藝形成所述第一保護層或所述第二保護層。

10.根據權利要求7-9任一項所述的制備方法，其特征在于，所述對所述第二保護層進行選擇性刻蝕包括：

對所述第二保護層進行選擇性刻蝕，露出所述光柵條上的所述第一保護層，或者，減小所述第二保護層的厚度。