[發(fā)明專利]模擬中子發(fā)生器及制備方法、可控中子源故障檢測方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011286327.1 | 申請日： | 2020-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN112512198A | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陸杰;魏軍學(xué);惠晗;付國華 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安奧華電子儀器股份有限公司 |
| 主分類號： | H05H3/06 | 分類號： | H05H3/06;G01V5/00;E21B49/00 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人： | 王楊洋 |
| 地址： | 710061 陜西省西安市航天基*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 模擬 中子 發(fā)生器 制備 方法 可控 中子源 故障 檢測 | ||
1.一種模擬中子發(fā)生器，包括充滿SF6氣體的殼體，以及設(shè)置在殼體內(nèi)的變壓器和倍壓電路，變壓器兩個輸出端與倍壓電路的兩個輸入端連接，其特征在于：還包括假負(fù)載和離子源；所述假負(fù)載的電阻與實際中子發(fā)生器的中子管電阻相同；所述倍壓電路的輸出端連接假負(fù)載的輸入端；所述離子源的電源端接陽極電壓，其輸入端接熱絲電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬中子發(fā)生器，其特征在于：所述假負(fù)載為2G 50W的電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的模擬中子發(fā)生器，其特征在于：所述陽極電壓大小為2000V～2500V。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的模擬中子發(fā)生器，其特征在于：所述熱絲電壓大小為0V～5V。
5.一種模擬中子發(fā)生器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)將已失效中子發(fā)生器的中子管取出，在確定變壓器和倍壓電路性能正常的前提下，將原中子管替換為相同參數(shù)的離子源和阻值相同的假負(fù)載；再將倍壓電路的輸出端連接假負(fù)載的輸入端，離子源的電源端接陽極電壓接口，離子源的兩個輸入端分別接兩個熱絲電壓接口；
2)封閉殼體，充SF6氣體。
6.一種可控中子源故障檢測方法，基于權(quán)利要求1至4任一所述模擬中子發(fā)生器，其特征在于，包括以下步驟：
1)取出可控中子源中的中子發(fā)生器；
2)安裝所述模擬中子發(fā)生器；
3)對可控中子源通電，對可控中子源內(nèi)模擬中子發(fā)生器以外的部分進(jìn)行故障檢測。
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