[發明專利]一種帶有非厄米耦合角度檢測糾正裝置的微位移機構

在審

• 申請號: 202011284773.9
• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN112240748A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 黃海陽;趙瑛璇;仇超;盛振;甘甫烷
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: G01B11/02
• 分類號: G01B11/02;G01B11/26
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所(普通合伙) 31233
• 代理人: 錢文斌;黃志達

1.一種帶有非厄米耦合角度檢測糾正裝置的微位移機構，包括剛性上板、剛性底板和兩塊剛性豎板，所述剛性上板、剛性底板和兩塊剛性豎板通過四個柔性鉸鏈構成平行四邊形結構，其特征在于，所述剛性底板的上表面固定有襯底，所述襯底上固設有一層絕緣層，所述絕緣層上設置有兩組完全相同的硅導線組，所述硅導線組包括若干根相互平行且形狀尺寸相同的硅導線，且相鄰的硅導線之間距離相等；所述硅導線垂直于所述剛性底板的前后面；所述剛性上板的下表面設置有散射光源；所述散射光源發出的激光照射硅導線組上時，所述硅導線與襯底之間發生近場耦效應，并使得硅導線組中的一根硅導線完全抑制。

2.根據權利要求1所述的帶有非厄米耦合角度檢測糾正裝置的微位移機構，其特征在于，所述硅導線組中相鄰的硅導線之間的距離為所述激光的波長的五分之一。

3.根據權利要求1所述的帶有非厄米耦合角度檢測糾正裝置的微位移機構，其特征在于，所述絕緣層的厚度為15-20nm。

4.根據權利要求1所述的帶有非厄米耦合角度檢測糾正裝置的微位移機構，其特征在于，所述絕緣層為透明氧化鋁隔離層。

5.根據權利要求1所述的帶有非厄米耦合角度檢測糾正裝置的微位移機構，其特征在于，所述襯底為長方體形狀的銀基體。

6.根據權利要求1所述的帶有非厄米耦合角度檢測糾正裝置的微位移機構，其特征在于，所述每根硅導線組的兩端通過引出導線與處理器相連，所述處理器根據引出導線讀取每根硅導線的電位，并根據硅導線的電位值判斷導線組中電位差最小值對應的硅導線的位置變動量信息，并根據所述位置變動量信息對推動所述剛性上板的驅動器進行位移補償。