[發明專利]一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202011283925.3 | 申請日: | 2020-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN112420950B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 王德祺 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 高楊麗 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括陣列基板、設置于所述陣列基板上的像素定義層和有機發光層、以及通過所述像素定義層定義的像素開口區,所述有機發光層設置于所述像素開口區內;
所述像素定義層包括設置于所述陣列基板上的第一像素定義子層和設置于所述第一像素定義子層上的第二像素定義子層,所述第二像素定義子層的折射率大于所述第一像素定義子層的折射率;
所述有機發光層包括設置于所述陣列基板上的陽極層,設置于所述陽極層上的發光功能層,及設置于所述發光功能層上的陰極層;
所述發光功能層的上表面至所述陣列基板的厚度大于所述第一像素定義子層的厚度,發光功能層發出的光束部分會從所述第二像素定義子層的側邊進入所述第二像素定義子層中,光束從所述第二像素定義子層射向所述第一像素定義子層時,部分大于臨界角的光束會在所述第二像素定義子層與所述第一像素定義子層的層界面處發生全反射現象。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述發光功能層的下表面至所述陣列基板的厚度大于所述第一像素定義子層的厚度。
3.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一像素定義子層和所述第二像素定義子層的材質均為有機光阻材料。
4.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二像素定義子層的折射率與所述第一像素定義子層的折射率的差值為0.5。
5.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一陣列基板,在所述陣列基板上形成像素定義層,所述像素定義層包括在所述陣列基板上形成第一像素定義子層和在所述第一像素定義子層上形成第二像素定義子層;
在所述像素定義層定義像素開口區,在所述像素開口區內形成設于所述陣列基板上的有機發光層;
所述第二像素定義子層的折射率大于所述第一像素定義子層的折射率;
在所述陣列基板上形成陽極層,在所述陽極層上形成發光功能層,在所述發光功能層上形成陰極層;
所述發光功能層的上表面至所述陣列基板的厚度大于所述第一像素定義子層的厚度,發光功能層發出的光束部分會從所述第二像素定義子層的側邊進入所述第二像素定義子層中,光束從所述第二像素定義子層射向所述第一像素定義子層時,部分大于臨界角的光束會在所述第二像素定義子層與所述第一像素定義子層的層界面處發生全反射現象。
6.如權利要求5所述的一種顯示面板的制備方法,其特征在于,所述發光功能層的下表面至所述陣列基板的厚度大于所述第一像素定義子層的厚度。
7.如權利要求6所述的一種顯示面板的制備方法,其特征在于,所述第二像素定義子層的折射率與所述第一像素定義子層的折射率的差值為0.5。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-4任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





