[發(fā)明專利]深紫外發(fā)光二極管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011283746.X
• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN112510126B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設計）人: 范偉宏;李東昇;張曉平;馬新剛;高默然;趙進超
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司;廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/18
• 分類號: H01L33/18;H01L33/14;H01L33/24;H01L33/44;H01L33/46
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

1.一種深紫外發(fā)光二極管，包括：

外延層，包括第一半導體層、多量子阱層以及第二半導體層，其中，所述外延層中包括第一臺階，所述第一臺階的一個臺階面為所述第二半導體層的表面，所述第一臺階的側壁為所述多量子阱層和所述第二半導體層的側壁，所述第一臺階的另一個臺階面為所述第一半導體層的表面；

第一歐姆接觸層，與所述第一半導體層接觸；

第二歐姆接觸層，與所述第二半導體層接觸；

反射鏡層，位于所述第二歐姆接觸層上；

鍵合層，與所述第一歐姆接觸層接觸；

介質(zhì)層，覆蓋所述第一臺階、所述第二歐姆接觸層和所述反射鏡層的側壁，分隔所述鍵合層與所述外延層、所述第二歐姆接觸層和所述反射鏡層；

第三臺階，所述第三臺階的側壁包括所述第一半導體層、所述多量子阱層、所述第二半導體層以及所述第二歐姆接觸層的側壁，所述第三臺階的側壁是出光面，所述第三臺階用于增大出光效率。

2.根據(jù)權利要求1所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述第一臺階的側壁為粗化表面。

3.根據(jù)權利要求2所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述第一臺階的側壁形成有凹凸結構。

4.根據(jù)權利要求3所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述凹凸結構為凸起結構或者凹陷結構。

5.根據(jù)權利要求4所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述凸起結構或所述凹陷結構的形狀為三角形、圓形、梯形或具有凸起或凹陷特征的規(guī)則圖案中的任意一種或幾種。

6.根據(jù)權利要求1所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述第一臺階包括多個，多個所述第一臺階呈陣列式均勻分布。

7.根據(jù)權利要求6所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述第一臺階包括所述多量子阱層和所述第二半導體層組成的凸臺，多個所述凸臺相互分隔。

8.根據(jù)權利要求6所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述第一臺階包括貫穿所述多量子阱層和所述第二半導體層的通孔，多個所述通孔相互分隔。

9.根據(jù)權利要求7所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述凸臺的形狀為圓臺、正多邊形棱臺或其他多邊形棱臺中的任意一種。

10.根據(jù)權利要求8所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述通孔的形狀為圓臺、正多邊形棱臺或其他多邊形棱臺中的任意一種。

11.根據(jù)權利要求1所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述第一臺階的側壁傾角為30°～60°。

12.根據(jù)權利要求1所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述多量子阱層的面積占襯底面積的50％～85％。

13.根據(jù)權利要求1所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，還包括：

第二襯底，所述第二襯底位于所述第二半導體層的一側，所述第二歐姆接觸層位于所述第二半導體層與所述第二襯底之間。

14.根據(jù)權利要求13所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述第二襯底通過所述鍵合層與所述第一歐姆接觸層電連接，所述第二襯底為第一電極，所述第一電極為N電極。

15.根據(jù)權利要求14所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，還包括：

位于第三臺階區(qū)域的第二電極，所述第三臺階貫穿所述第一半導體層、所述多量子阱層、所述第二半導體層和所述第二歐姆接觸層，并暴露所述反射鏡層的表面，所述第二電極位于所述反射鏡層的表面，所述第二電極為P電極。

16.根據(jù)權利要求13所述的深紫外發(fā)光二極管，其中，所述第一半導體層遠離所述第二襯底的一側表面為粗化表面。