[發明專利]一種鈣鈦礦超快X射線探測器及其制備方法有效
| 申請號： | 202011283052.6 | 申請日： | 2020-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN112531116B | 公開（公告）日： | 2023-06-16 |
| 發明（設計）人： | 唐江;牛廣達;巫皓迪;杜鑫源 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學鄂州工業技術研究院;華中科技大學 |
| 主分類號： | H10K30/60 | 分類號： | H10K30/60;H10K30/10;H10K30/15;H10K71/00 |
| 代理公司： | 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570 | 代理人： | 彭博 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鈣鈦礦超快 射線 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦超快X射線探測器的探測方法，其特征在于，所述X射線探測器自上至下依次包括：金屬電極、電子傳輸層；鈣鈦礦材料層、空穴傳輸層和襯底層；
其中，X射線從所述探測器的非電極層的一側入射，并在鈣鈦礦材料層中產生電子空穴對，所述電子空穴對在工作電壓作用下分離，產生電信號，并通過所述金屬電極輸出，輸出信號經信號線傳輸到讀取電路，所述工作電壓施加在所述襯底層；
所述鈣鈦礦材料層厚度為0.1-1?mm；
所述金屬電極包括多個間隔設置的像素電極條，所述像素電極條長度大于5mm且寬度為300nm-1?mm。
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦超快X射線探測器的探測方法，其特征在于，所述金屬電極材質為金、銀、銅和鉻中的一種或幾種。
3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦超快X射線探測器的探測方法，其特征在于，所述電子傳輸層材質為氧化鋅、富勒烯衍生物、二氧化錫、氧化鎂鋅、二氧化鈦、聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]中的一種。
4.根據權利要求2或3所述的鈣鈦礦超快X射線探測器的探測方法，其特征在于，所述鈣鈦礦材料層由鈣鈦礦材料制成，所述鈣鈦礦材料的化學表達式為ABX3，其中，A為甲胺、甲脒、銫中的一種或幾種；B為鉛；X為鹵素離子氯、溴、碘的其中一種或幾種。
5.根據權利要求4所述的鈣鈦礦超快X射線探測器的探測方法，其特征在于，所述空穴傳輸層材料可為氧化鎳、碘化銅和2,2',7,7'-四溴-9,9'-螺二、三(4-碘苯)胺中的一種。
6.一種用于權利要求1-5中任一項所述探測方法中的鈣鈦礦超快X射線探測器，其特征在于，所述襯底層為氧化銦錫或摻雜氟的二氧化錫透明導電玻璃的一種。
7.一種如權利要求6所述的鈣鈦礦超快X射線探測器的制備方法，其特征在于，包括：
步驟一、在襯底層上通過蒸鍍、濺射、旋涂或噴涂的方式，制備空穴傳輸層；
步驟二、在所述空穴傳輸層上通過刮涂、蒸鍍或旋涂的方式制備鈣鈦礦層；
步驟三、在所述鈣鈦礦層上通過蒸鍍、濺射、旋涂或噴涂的方式，制備電子傳輸層；
步驟四、在所述電子傳輸層上通過蒸鍍方式制備電極。
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