[發明專利]一種半導體級硅單晶爐的排氣裝置

有效

• 申請號: 202011282707.8
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN112410874B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 曹玉寶;李巖;李丹;馬東興;張丹
• 申請（專利權）人: 連城凱克斯科技有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B35/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體級硅單晶爐的排氣裝置，包括爐體(22)，其特征在于，所述爐體(22)的外壁上固定連接等距離分布的存氣盒(2)，兩個所述存氣盒(2)的相鄰一側外壁上固定連接有同一個連接管(9)，所述連接管(9)的一側外壁上固定連接有出氣管(3)，所述存氣盒(2)的一側外壁上固定連接有連接塊(15)，所述連接塊(15)的一側外壁上固定連接有同一個固定環(14)，所述固定環(14)的內壁上開有環形滑槽，環形滑槽的內壁上固定連接環形滑軌，所述環形滑軌的內壁滑動連接有滑環(13)，所述滑環(13)的一側外壁上固定連接有等距離分布的安裝板(12)，所述安裝板(12)的內部設有氣倉，所述連接塊(15)的一側外壁上開有第一斜孔(19)，滑環(13)的一側外壁上開有等距離分布的第二斜孔(20)，所述第一斜孔(19)與第二斜孔(20)相適配，所述安裝板(12)的一側外壁上設有擋風槽(16)，所述擋風槽(16)設置為弧形結構，所述擋風槽(16)的一側外壁上設有等距離分布的分流槽(17)，所述分流槽(17)的內壁均固定連接有等距離分布的吸氣孔(18)。

2.根據權利要求1所述的一種半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于，所述爐體(22)的頂部外壁上固定連接有爐蓋(8)，爐蓋(8)頂部外壁的中央位置固定連接有上爐腔(7)，上爐腔(7)的一側外壁上固定連接有氫氣進氣管。

3.根據權利要求2所述的一種半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于，所述上爐腔(7)的頂部外壁上固定連接有分流盒(4)，出氣管(3)的一端分別固定連接在分流盒(4)的四周外壁上。

4.根據權利要求3所述的一種半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于，所述分流盒(4)的頂部外壁上固定連接有抽氣泵(6)，抽氣泵(6)一端與分流盒(4)的頂部內壁相連通，抽氣泵(6)的出氣口處固定連接有出氣斗(5)。

5.根據權利要求1所述的一種半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于，所述爐體(22)的底部外壁上固定連接有等距離分布的支撐腿(1)。

6.根據權利要求5所述的一種半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于，所述爐體(22)靠近底端的一側外壁上固定連接有固定板(23)。

7.根據權利要求6所述的一種半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于，所述固定板(23)的頂部外壁上固定連接有真空氣泵(11)，真空氣泵(11)的一端固定連接有導管(10)，導管(10)的一端固定連接在爐體(22)的內部。

8.根據權利要求1所述的一種半導體級硅單晶爐的排氣裝置，其特征在于，所述爐體(22)靠近底部的外壁上設有保溫套(21)。