[發明專利]可拆式粉末原子層沉積裝置在審
| 申請號: | 202011281747.0 | 申請日: | 2020-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN112609169A | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發明(設計)人: | 林俊成;張容華;古家誠 | 申請(專利權)人: | 鑫天虹(廈門)科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 361101 福建省廈門市廈門火*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可拆式 粉末 原子 沉積 裝置 | ||
本發明提供一種可拆式粉末原子層沉積裝置,主要包括一真空腔體、一軸封裝置及一驅動單元,其中驅動單元連接軸封裝置,而真空腔體透過至少一連接單元鎖固在軸封裝置的一端。驅動單元透過軸封裝置帶動真空腔體轉動,以攪拌真空腔體的一反應空間內的粉末,以利于在粉末的表面形成厚度均勻的薄膜。此外完成原子層沉積的真空腔體可由軸封裝置上卸下,以方便使用者將粉末由真空腔體取出,并清潔真空腔體,以提高使用時的便利性。
技術領域
本發明有關于一種可拆式粉末原子層沉積裝置,方便使用者將粉末由真空腔體取出,并清潔真空腔體,以提高使用時的便利性。
背景技術
奈米顆粒(nanoparticle)一般被定義為在至少一個維度上小于100奈米的顆粒,奈米顆粒與宏觀物質在物理及化學上的特性截然不同。一般而言,宏觀物質的物理特性與本身的尺寸無關,但奈米顆粒則非如此,奈米顆粒在生物醫學、光學和電子等領域都具有潛在的應用。
量子點(Quantum Dot)是半導體材料的奈米顆粒,目前研究的半導體材料為II-VI材料,如ZnS、CdS、CdSe等,其中又以CdSe最受到矚目。量子點的尺寸通常在2至50奈米之間,量子點被紫外線照射后,量子點中的電子會吸收能量,并從價帶躍遷到傳導帶。被激發的電子從傳導帶回到價帶時,會通過發光釋放出能量。
量子點的能隙與尺寸大小相關,量子點的尺寸越大能隙越小,經照射后會發出波長較長的光,量子點的尺寸越小則能隙越大,經照射后會發出波長較短的光。例如5到6奈米的量子點會發出橘光或紅光,而2到3奈米的量子點則會發出藍光或綠光,當然光色還需取決于量子點的材料組成。
應用量子點的發光二極體(LED)產生的光接近連續光譜,同時具有高演色性,并有利于提高發光二極體的發光品質。此外亦可透過改變量子點的尺寸調整發射光的波長,使得量子點成為新一代發光裝置及顯示器的發展重點。
量子點雖然具有上述的優點及特性,但在應用或制造的過程中容易產生團聚現象。此外量子點具有較高的表面活性,并容易與空氣及水氣發生反應,進而縮短量子點的壽命。
具體來說,將量子點制作成為發光二極體的密封膠時,可能會產生團聚效應,而降低量子點的光學性能。此外,量子點在制作成發光二極體的密封膠后,外界的氧或水氣仍可能會穿過密封膠而接觸量子點的表面,導致量子點氧化,并影響量子點及發光二極體的效能或使用壽命。量子點表面的缺陷及懸空鍵(dangling bonds)亦可能造成非輻射復合(non-radiative recombination),同樣會影響量子點的發光效率。
目前業界主要透過原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)在量子點的表面形成一層奈米厚度的薄膜,或者是在量子點的表面形成多層薄膜,以形成量子井結構。
原子層沉積可以在基板上形成厚度均勻的薄膜,并可有效控制薄膜的厚度,理論上亦適用于三維的量子點。量子點靜置在承載盤時,相鄰的量子點之間會存在接觸點,使得原子層沉積的前驅物氣體無法接觸這些接觸點,并導致無法在所有的奈米顆粒的表面皆形成厚度均勻的薄膜。
發明內容
一般而言,原子層沉積通常需要在真空環境下進行,因此原子層沉積裝置的構造往往較為厚實,并具有一定的重量,不利于使用者搬運及操作。為了解決上述先前技術的問題,本發明提出一種可拆式粉末原子層沉積裝置,在完成粉末的原子層沉積制程后,可將真空腔體由軸封裝置及/或驅動單元上卸下,方便使用者取出真空腔體內的粉末,并清潔真空腔體。
本發明的一目的,在于提供一種可拆式粉末原子層沉積裝置,主要包括一驅動單元、一軸封裝置及一真空腔體,其中驅動單元連接軸封裝置,而軸封裝置的另一端則透過至少一連接單元鎖固在真空腔體上,使得驅動單元可透過軸封裝置驅動真空腔體轉動。在完成原子層沉積制程后,可將真空腔體由軸封裝置上卸下,以利于使用者將真空腔體內的粉末取出,并清潔真空腔體,以提高使用時的便利性。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于鑫天虹(廈門)科技有限公司,未經鑫天虹(廈門)科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011281747.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





