[發明專利]一種用于COF基板的長距離寬幅柔性無膠基材的制備設備在審
| 申請號: | 202011281351.6 | 申請日: | 2020-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN112271138A | 公開(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發明(設計)人: | 楊官瑜 | 申請(專利權)人: | 河南航晨納米材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 東莞市永邦知識產權代理事務所(普通合伙) 44474 | 代理人: | 曾婉憶 |
| 地址: | 465200 河南*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 cof 長距離 寬幅 柔性 基材 制備 設備 | ||
本發明提供一種用于COF基板的長距離寬幅柔性無膠基材的制備設備,包括由真空腔室壁平面包繞的真空腔室,真空腔室的內部安裝有放卷軸和收卷軸,在放卷軸和收卷軸之間還設置有冷卻軸,真空腔室壁平面的外側設有分子泵法蘭接口,還設有離子注入法蘭接口和磁過濾沉積法蘭接口,該用于COF基板的長距離寬幅柔性無膠基材的制備設備,通過磁過濾技術,過濾掉弧源產生的大顆粒和中性原子,得到無大顆粒的純等離子束,可以在低的基體溫度下沉積優質涂層,利用磁過濾陰極真空弧制備出高質量的納米復合膜;通過真空腔室的設計以及電磁場的調整,達到等離子體的長時間大面積穩定引出,使用性能優良。
技術領域
本發明涉及覆晶薄膜技術領域,具體為一種用于COF基板的長距離寬幅柔性無膠基材的制備設備。
背景技術
COF常稱覆晶薄膜,是將集成電路(IC)固定在柔性線路板上的晶粒軟膜構裝技術,運用軟質附加電路板作為封裝芯片載體將芯片與軟性基板電路結合,或者單指未封裝芯片的軟質附加電路板。電子產品,尤其是手攜式產品,愈來愈走向輕薄短小的設計架構。因此新的材料及組裝技術不斷推陳出新,COF即為一例。其非常適用于小尺寸面板如手機或PDA等液晶模塊產品之應用。COF,即覆晶薄膜,其利用COG技術制程的特點,將軟膜具有承載IC及被動組件的能力,并且在可撓折的方面,COF除有助于提升產品功能化、高構裝密度化及輕薄短小化外,更可提高產品的附加價值。雖然COF是一種新興的IC封裝技術,但它的工藝制程和傳統的FPC及IC安裝技術兼容,人們能夠用現有的設備生產出COF產品。精細線路的制作隨著芯片安裝的節距減小和I/O數的增加,對精細線路圖形的要求也在增加,要求線寬和間距小于50μm的精細圖形。各種電子產品向著更小、更薄、更輕的發展趨勢,指導封裝技術向著小體積、高密度、可自由安裝的方向發展,COF封裝技術并已經成為驅動IC封裝的主要方式。
目前,FCCL制造工藝中面臨的主要問題之一是PI薄膜與銅箔之間的粘結性較差,相比于三層型撓性覆銅板技術,由于三種材料之間的熱膨脹系數差異和殘余應力效應,致使PI膜易與銅箔開裂脫層;同時由于膠黏劑的熱穩定性和韌性較差,導致該類產品滿足不了如今下游許多電子產品提出的耐熱性和耐撓曲性能的要求。
發明內容
(一)解決的技術問題
針對現有技術的不足,本發明提供了一種用于COF基板的長距離寬幅柔性無膠基材的制備設備,解決了上述背景技術中所提到的問題。
(二)技術方案
為實現以上目的,本發明通過以下技術方案予以實現:一種用于COF基板的長距離寬幅柔性無膠基材的制備設備,包括由真空腔室壁平面包繞的真空腔室,所述真空腔室的內部安裝有可轉動的放卷軸和收卷軸,所述真空腔室在放卷軸和收卷軸之間還設置有若干個可轉動的冷卻軸,所述真空腔室壁平面的外側設有分子泵法蘭接口,所述真空腔室壁平面的外側還設有離子注入法蘭接口和磁過濾沉積法蘭接口,所述離子注入法蘭接口連接有離子注入裝置,磁過濾沉積法蘭接口連接有磁過濾等離子體沉積裝置,分子泵法蘭接口連接分子泵。
優選的,所述分子泵法蘭接口的數量為八個。
優選的,所述離子注入法蘭接口的數量為兩個。
優選的,所述磁過濾沉積法蘭接口的數量為六個。
優選的,所述冷卻軸與分子泵法蘭接口、離子注入法蘭接口或磁過濾沉積法蘭接口中的一個或兩個正對設置。
優選的,所述放卷軸和收卷軸分別設置于真空腔室內的兩端。
優選的,離子注入裝置或磁過濾等離子體沉積裝置能夠單獨或同時啟動。
優選的,所述磁過濾等離子體沉積裝置分別為兩組,分別為第一磁過濾等離子體沉積裝置和第二磁過濾等離子體沉積裝置。
該設備的使用方法具體包括以下步驟:
步驟一:將聚酰亞胺薄膜卷樣品清洗烘干;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





