[發明專利]一種百千伏超快電子衍射裝置

在審

• 申請號: 202011281330.4
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN112485276A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 李玉同;李夢超;王瑄
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: G01N23/20058
• 分類號: G01N23/20058;G01N23/20008;G01N23/20025
• 代理公司: 北京市英智偉誠知識產權代理事務所(普通合伙) 11521
• 代理人: 劉丹妮;姚望舒

1.一種百千伏超快電子衍射裝置，包括電子槍本體，其特征在于，所述電子槍本體包括電子槍腔室及內部的直流光陰極電子槍本體、磁透鏡、樣品室、泵浦光背入射單元、法拉第筒腔室和成像裝置，所述樣品室側面固定安裝有樣品位移臺，所述樣品位移臺內部固定設置有樣品固定裝置，所述樣品室底部固定設置有鈦升華泵、離子泵、分子泵和真空測量裝置，所述直流光陰極電子槍本體的陰極中心與樣品室內部空間中心的連線為第一中心軸線。

2.根據權利要求1所述的一種百千伏超快電子衍射裝置，其特征在于，所述電子槍腔室朝向樣品室一側的底面開有第一真空刀口，所述電子槍本體固定安裝于電子槍腔室中，所述電子槍腔室前后兩端均固定開設有第一觀察窗和第二觀察窗，所述第一觀察窗中心位于XY平面上，所述電子槍腔室上端固定安裝有高壓電極，所述第二觀察窗的中心與高壓電極的電極線的末端處于同一高度，所述電子槍腔室的前面板固定開設有第一刀口，所述電子槍腔室外部固定開設有六個螺紋孔。

3.根據權利要求1或2所述的百千伏超快電子衍射裝置，其特征在于，所述磁透鏡由銅導線繞制而成；

優選地，所述銅導線的直徑為0.5～1.5mm，優選為0.8～1.2mm，最優選為1mm；和/或

優選地，所述磁透鏡總共30～80層，每層10～30匝；更優選地，所述磁透鏡總共50～60層，每層15～25匝；最優選地，所述磁透鏡總共52層，每層20匝。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的百千伏超快電子衍射裝置，其特征在于，所述樣品室呈正方形六通結構，所述樣品室具有內嵌的凹槽，所述磁透鏡上固定設置有主體磁線圈，所述主體磁線圈前端固定安裝有固定二通，所述主體磁線圈后端固定安裝有空隙；

優選地，所述凹槽深度為5～20mm，更優選為5～15mm，最優選為10mm。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的百千伏超快電子衍射裝置，其特征在于，所述樣品室前端固定開設有凹槽，所述樣品室上端固定安裝有第三觀察窗，所述樣品室的左右兩端和上端均固定開設有窗口，所述樣品室上端四角邊緣處固定設置有切面，所述樣品室后端固定安裝有第一固定法蘭；

優選地，所述第三觀察窗的法蘭圓中心距離樣品室內部空間中心為100～120mm，更優選為110～120mm，最優選為119.3mm。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的百千伏超快電子衍射裝置，其特征在于，所述泵浦光背入射單元內壁固定設置有反射鏡，所述泵浦光背入射單元上端固定安裝有調節裝置，所述泵浦光背入射單元后端固定設置有第二刀口，所述泵浦光背入射單元為一六通，所述泵浦光背入射單元前后兩側固定安裝有第三固定法蘭，所述泵浦光背入射單元上端固定安裝盲板法蘭和法蘭觀察窗，所述泵浦光背入射單元通過第三固定法蘭與樣品室后側的第一固定法蘭連接，所述反射鏡固定安裝于調節裝置上。

7.根據權利要求6所述的百千伏超快電子衍射裝置，其特征在于，所述第三固定法蘭外徑為150～160mm，優選為150～155mm，最優選為152mm；和/或

所述反射鏡直徑為0.5～2英寸，優選為0.5～1.5英寸，最優選為1英寸。

8.根據權利要求6或7所述的百千伏超快電子衍射裝置，其特征在于，所述盲板法蘭上端固定開設有第二刀口，所述第二刀口的圓心距離所述盲板法蘭的圓心20～30mm，優選為20～25mm，最優選為23mm。

9.根據權利要求6至8中任一項所述的百千伏超快電子衍射裝置，其特征在于，所述反射鏡與水平線的夾角為30.7度～50.4度。

10.根據權利要求9所述的百千伏超快電子衍射裝置，其特征在于，所述反射鏡與水平線的夾角為50.4度時形成第一光線路徑，所述反射鏡與水平線的夾角為41.5度時形成第二光線路徑，所述反射鏡與水平線的夾角為為30.7度時形成第三光線路徑，所述反射鏡可形成中間成像(18-1)和最遠成像(18-2)。