[發明專利]碳化硅器件在審
| 申請號： | 202011280134.5 | 申請日： | 2020-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN114512531A | 公開（公告）日： | 2022-05-17 |
| 發明（設計）人： | 龔軼;劉磊;劉偉;王睿 | 申請（專利權）人： | 蘇州東微半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 器件 | ||
1.碳化硅器件，其特征在于，包括：
碳化硅襯底，所述碳化硅襯底包括依次層疊的第一n型碳化硅層、第二n型碳化硅層、p型碳化硅層和第三n型碳化硅層；
位于所述碳化硅襯底內且交替間隔設置的柵極溝槽和源極溝槽，所述柵極溝槽的底部和所述源極溝槽的底部均位于所述第二n型碳化硅層內；
位于所述柵極溝槽內的柵極，所述柵極通過第一絕緣層與所述第二n型碳化硅層隔離，所述柵極通過第二絕緣層與所述p型半導體層和所述第三n型半導體層隔離；
位于所述源極溝槽內的源極，所述源極與所述p型碳化硅層和所述第三n型碳化硅層連接，所述源極通過第三絕緣層與所述源極溝槽的側壁位置處的所述第二n型碳化硅層隔離；
位于所述第二n型碳化硅層內且位于所述源極溝槽的底部位置處的p型阱區，所述p型阱區與所述源極在所述源極溝槽的底部位置相連接。
2.如權利要求1所述的碳化硅器件，其特征在于，所述柵極溝槽的深度與所述源極溝槽的深度相同。
3.如權利要求1所述的碳化硅器件，其特征在于，所述源極溝槽的寬度大于所述柵極溝槽的寬度。
4.如權利要求1所述的碳化硅器件，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度大于所述第二絕緣層的厚度。
5.如權利要求1所述的碳化硅器件，其特征在于，所述第一絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁和氧化鉿中的至少一種。
6.如權利要求1所述的碳化硅器件，其特征在于，所述第三絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁和氧化鉿中的至少一種。
7.如權利要求1所述的碳化硅器件，其特征在于，所述第二絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁和氧化鉿中的至少一種。
8.如權利要求1所述的碳化硅器件，其特征在于，所述柵極的材料為導電性多晶硅、鈦、鎳、銅、鋁、銀、金、氮化鈦和鎢中的至少一種。
9.如權利要求1所述的碳化硅器件，其特征在于，所述源極的材料為導電性多晶硅、鈦、鎳、銅、鋁、銀、金、氮化鈦和鎢中的至少一種。
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