[發明專利]一種高速開關結構及制備方法在審
| 申請號： | 202011279267.0 | 申請日： | 2020-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN112259601A | 公開（公告）日： | 2021-01-22 |
| 發明（設計）人： | 呂宇強;鞠建宏;倪勝中 | 申請（專利權）人： | 江蘇帝奧微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京睿智保誠專利代理事務所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 周新楣 |
| 地址： | 226000 江蘇省南通市崇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高速 開關 結構 制備 方法 | ||
1.一種高速開關結構，其特征在于，包括：P型襯底、淺槽隔離及深槽環，
所述P型襯底上設置有P型襯底有源引出端以及深N阱隔離邊界，所述淺槽隔離設置于所述P型襯底有源引出端的內側，所述深槽環設置于所述淺槽隔離的內側；
其中，所述深槽環內部包含有所述深N阱隔離邊界，且所述深槽環內側設置有深N阱隔離有源區引出端。
2.根據權利要求1的所述一種高速開關結構，其特征在于，所述深N阱隔離有源區引出端內側設置有P型體區和深N阱隔離邊界；
其中，所述P型體區和深N阱隔離的邊界的內側還依次包括：P型體區的有源引出端、源有源區和漏有源區以及多晶硅柵極。
3.根據權利要求1所述的一種高速開關結構，其特征在于，所述深槽環的深度為5-120μm，深槽環的寬度為5-50μm。
4.根據權利要求3所述一種高速開關結構，其特征在于，所述深槽環的側壁與深槽環底部夾角在90-135°，所述深槽環側壁與深槽環頂部硅水平表面夾角也在90-135°。
5.一種高速開關制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
S1、形成MOS開關管的隔離深N阱和有源區以及標準化N阱和P阱的注入和擴散；
S2、淀積第一薄膜于所述深N阱外做為深槽環的硬掩模，涂覆光刻膠于所述第一薄膜進行深槽環圖形光刻后，以形成深槽環，其中，深槽環內包部含所述P型襯底上的深N阱隔離邊界的側壁，且所述深槽環內側設置有深N阱隔離有源區引出端；
S3、移除所述光刻膠和硬掩模，熱生長一層薄氧化層作為過渡層，淀積低介電常數介質填充深槽環，然后進行刻蝕或者化學機械平坦化；
S4、進行金屬后道工藝，通過熱生長柵氧化層及淀積多晶硅，形成源漏區域和金屬硅化物。
6.根據權利要求5所述的一種高速開關制備方法，其特征在于，所述深槽環的深度為5-120μm，深槽環的寬度為5-50μm。
7.根據權利要求6所述一種高速開關制備方法，其特征在于，所述深槽環的側壁與深槽環底部夾角在90-135°，深槽環側壁與深槽環頂部硅水平表面夾角也在90-135°。
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