[發明專利]一種防止待機過程和開機后芯片引腳過壓的保護電路有效
| 申請號: | 202011279231.2 | 申請日: | 2020-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN112582999B | 公開(公告)日: | 2023-02-14 |
| 發明(設計)人: | 葉才學 | 申請(專利權)人: | 惠州市德賽西威汽車電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H02H9/04 | 分類號: | H02H9/04 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 葉新平 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 防止 待機 過程 開機 芯片 引腳 保護 電路 | ||
1.一種防止待機過程和開機后芯片引腳過壓的保護電路,其特征在于:包括連接器接口電路模塊、芯片、恒供電電源VCC1與VCC2、非恒供電電源VCC3、 NMOS管Q1、三極管Q2、二極管D1與D2、以及穩壓二極管D5;所述連接器接口電路模塊輸入輸出端口連接所述芯片的輸入輸出端口,且并連接有串聯的所述二極管D1與D2;所述二極管D1的陽極接地,陰極與所述二極管D2的陽極連接所述連接器接口電路模塊輸入輸出端口和所述芯片的輸入輸出端口,所述二極管D2的陰極與所述恒供電電源VCC1以及穩壓二極管D5的陰極并連接入所述NMOS管Q1的漏極;所述NMOS管Q1的柵極連接所述恒供電電源VCC2,源極接地;所述三極管Q2的基極連接所述非恒供電電源VCC3,集電極并連接入所述NMOS管Q1的柵極,發射極接地;
待機狀態下,所述非恒供電電源VCC3為低電平,所述恒供電電源VCC1與VCC2為高電平,所述三極管Q2不導通,當所述芯片的第一輸入輸出端口和第二輸入輸出端口過壓輸入時,所述二極管D2與二極管D1分別導通并控制所述芯片第一輸入輸出端口與第二輸入輸出端口鉗壓在第一預設區間;
開機狀態下,所述非恒供電電源VCC3為高電平,所述恒供電電源VCC1與VCC2為高電平,所述三極管Q2導通,所述穩壓二極管D5正常工作,當所述芯片第一輸入輸出端口與第二輸入輸出端口過壓輸入時,所述二極管D2與二極管D1分別導通并控制所述芯片第一輸入輸出端口與第二輸入輸出端口鉗壓在第二預設區間。
2.根據權利要求1所述的一種防止待機過程和開機后芯片引腳過壓的保護電路,其特征在于:還包括設置于所述三極管Q2的基極與非恒供電電源VCC3的第一濾波電路。
3.根據權利要求2所述的一種防止待機過程和開機后芯片引腳過壓的保護電路,其特征在于:所述第一濾波電路包括電阻R3,以及并聯設置的電阻R4與電容C5。
4.根據權利要求3所述的一種防止待機過程和開機后芯片引腳過壓的保護電路,其特征在于:還包括設置于所述恒供電電源VCC2與NMOS管Q1的柵極之間的電阻R2,以及并聯設置于所述電阻R2與NMOS管Q1的柵極之間的電容C3。
5.根據權利要求4所述的一種防止待機過程和開機后芯片引腳過壓的保護電路,其特征在于:還包括與所述穩壓二極管D5并聯設置的電容C4。
6.根據權利要求1~5任一項所述的一種防止待機過程和開機后芯片引腳過壓的保護電路,其特征在于:所述連接器接口電路模塊形成有至少一個的所述輸入輸出端口,所述芯片上形成有至少一個的所述輸入輸出端口,且所述連接器接口電路模塊的上的任一所述輸入輸出端口均連接有對應的所述芯片的輸入輸出端口。
7.根據權利要求6所述的一種防止待機過程和開機后芯片引腳過壓的保護電路,其特征在于:所述連接器接口電路模塊的第一輸入輸出端口與所述芯片的第一輸入輸出端口間并聯有所述二極管D1與D2;所述連接器接口電路模塊的第二輸入輸出端口與所述芯片的第二輸入輸出端口間并聯有二極管D3與D4。
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