[發明專利]包含柵極氧化層以及對準標記的裝置及其形成方法

有效

• 申請號: 202011277457.9
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN113611670B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 盧朋輝;顧海龍;孫自軍;黃清俊;談文毅
• 申請（專利權）人: 聯芯集成電路制造(廈門)有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/027;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種形成柵極氧化層以及對準標記的方法，包含：

依序沉積墊氧化層以及墊氮化層于基底上；

以單一光掩模，形成圖案化光致抗蝕劑層于該墊氮化層上，其中該圖案化光致抗蝕劑層包含柵極氧化圖案以及對準標記圖案；

以該圖案化光致抗蝕劑層，蝕刻該墊氮化層以及該墊氧化層，以暴露出該基底的部分；以及

形成柵極氧化層以及對準標記于該基底的該些部分，

其中該對準標記圖案設置在該基底的切割道，

其中該基底包含該切割道、中電壓區以及高電壓區。

2.如權利要求1所述的形成柵極氧化層以及對準標記的方法，其中該柵極氧化圖案設置在該中電壓區以及該高電壓區中。

3.如權利要求1所述的形成柵極氧化層以及對準標記的方法，其中該柵極氧化層以及該對準標記具有相同厚度。

4.如權利要求3所述的形成柵極氧化層以及對準標記的方法，其中該柵極氧化層的底部以及該對準標記的底部設置在該基底中，且該柵極氧化層的頂部以及該對準標記的頂部突出該基底。

5.如權利要求1所述的形成柵極氧化層以及對準標記的方法，其中該柵極氧化層以及該對準標記以熱氧化制作工藝形成。

6.如權利要求4所述的形成柵極氧化層以及對準標記的方法，其中該柵極氧化層的該底部以及該對準標記的該底部具有相同厚度。

7.如權利要求1所述的形成柵極氧化層以及對準標記的方法，在形成該柵極氧化層以及該對準標記之后，還包含：

摻雜阱于該中電壓區以及該高電壓區。

8.如權利要求7所述的形成柵極氧化層以及對準標記的方法，其中該高電壓區包含高電壓NMOS晶體管區以及高電壓PMOS晶體管區。

9.如權利要求8所述的形成柵極氧化層以及對準標記的方法，其中該些阱包含N型阱摻雜于該中電壓區以及該高電壓PMOS晶體管區，以及P型阱摻雜于該高電壓NMOS晶體管區。

10.一種包含柵極氧化層以及對準標記的裝置，其特征在于，包含：

基底，包含切割道、中電壓區以及高電壓區；

柵極氧化層，設置在該中電壓區以及該高電壓區中；

對準標記，設置在該切割道中，其中該柵極氧化層以及該對準標記具有相同厚度，以及設置在同一水平高度，其中該柵極氧化層的底部以及該對準標記的底部設置在該基底中，且該柵極氧化層的頂部以及該對準標記的頂部突出該基底。

11.如權利要求10所述的包含柵極氧化層以及對準標記的裝置，其中該柵極氧化層的該底部以及該對準標記的該底部具有相同厚度。

12.如權利要求9所述的包含柵極氧化層以及對準標記的裝置，其中該高電壓區包含高電壓NMOS晶體管區以及高電壓PMOS晶體管區。

13.如權利要求12所述的包含柵極氧化層以及對準標記的裝置，還包含：

N型阱位于該中電壓區以及該高電壓PMOS晶體管區，以及P型阱位于該高電壓NMOS晶體管區。