[發明專利]一種用于絕緣柵雙級晶體管模塊的測試夾具在審
| 申請號: | 202011275705.6 | 申請日: | 2020-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN112433073A | 公開(公告)日: | 2021-03-02 |
| 發明(設計)人: | 吳昊璋 | 申請(專利權)人: | 瑞安市智造科技有限公司 |
| 主分類號: | G01R1/04 | 分類號: | G01R1/04 |
| 代理公司: | 杭州高盟專利代理事務所(普通合伙) 33402 | 代理人: | 單燕君 |
| 地址: | 325200 浙江省溫州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 絕緣 柵雙級 晶體管 模塊 測試 夾具 | ||
本發明公開了一種用于絕緣柵雙級晶體管模塊的測試夾具,包括一個安裝機構,所述安裝機構上端活動連接有一個限位機構,所述限位機構上端固定連接有一個推動機構,本發明所達到的有益效果是:第一螺紋孔和螺紋桿可以通過滑動槽和滑動塊帶動夾板對檢測件進行夾持,夾持穩定且拆卸方便,通過推桿方便帶動推盤和伸縮桿打開剪叉式支撐架,通過限位桿和限位槽對伸縮桿限位,穩定性好,同時彈簧的彈性方便將剪叉式支撐架復位,增加夾持拆卸的效率,通過檢測板和檢測頭可以直接對檢測件進行檢測,不用來回拆裝萬用表,檢測效率快,同時螺栓和第二螺紋孔增加夾具推動的穩定性。
技術領域
本發明涉及一種測試夾具,特別涉及一種用于絕緣柵雙級晶體管模塊的測試夾具,屬于半導體技術領域。
背景技術
絕緣柵雙極晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點,GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小,IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
傳統絕緣柵雙級晶體管模塊都是通過簡單的夾具對其進行固定,然后通過人工測量,夾持速度慢,同時夾持不穩定,容易晃動,同時更換拆卸的速度慢,降低檢測效率,而且在人工測量時需要不斷將萬用表安裝在絕緣柵雙級晶體管模塊,再拆卸下來,時間長了接觸點容易損壞,造成損失。
發明內容
本發明提供一種用于絕緣柵雙級晶體管模塊的測試夾具,有效的解決了現有技術中存在的夾持拆卸速度慢,夾持不穩定的問題。
為了解決上述技術問題,本發明提供了如下的技術方案:
本發明一種用于絕緣柵雙級晶體管模塊的測試夾具,包括一個安裝機構,所述安裝機構上端活動連接有一個限位機構,所述限位機構上端固定連接有一個推動機構,位于所述安裝機構內部的限位機構下端固定連接有一個伸縮機構,所述伸縮機構下端固定連接有一個夾持機構,所述夾持機構下方設有一個檢測機構。
作為本發明的一種優選技術方案,所述安裝機構包括一塊操作板,所述操作板背面固定連接有四個呈矩形狀設置的支撐座,所述操作板正面兩側固定連接有四塊呈對稱設置的支撐板,每兩塊相對應的所述支撐板相對一側的上端之間固定連接有一塊固定板,所述操作板下表面固定連接有一塊豎板且所述豎板和四塊支撐板相抵。
作為本發明的一種優選技術方案,所述限位機構包括四個呈對稱設置的貫穿口,四個所述貫穿口貫穿開設在兩塊固定板的上表面兩側,四個所述貫穿口內均活動連接有一根伸縮桿,四根所述伸縮桿穿過四個貫穿口并延伸至兩塊固定板外,四根所述伸縮桿位于兩塊固定板上方的桿壁上均套接有一個彈簧,四根所述伸縮桿位于四個彈簧上方的桿壁上均固定套接有一塊遮擋板,四個所述彈簧下端固定連接在兩塊固定板上表面,四個所述彈簧上端固定連接在四塊遮擋板下表面,四根所述伸縮桿位于四塊遮擋板上方的桿壁上均貫穿開設有若干限位孔,四根所述伸縮桿上的其中一個限位孔均插設有一根限位桿,所述操作板的正面與四根限位桿相對應的位置均開設有一個限位槽,四根所述限位桿穿過四個限位孔插設在四個限位槽內。
作為本發明的一種優選技術方案,所述推動機構包括四個推盤,四個所述推盤固定連接在四根伸縮桿上端,四個所述推盤外側壁上均固定連接有若干個推把,每兩個相對應的所述推盤之間均固定連接有一根推桿,且兩根所述推桿中間位置的桿壁上均固定套接有一個防滑套。
作為本發明的一種優選技術方案,所述伸縮機構包括兩個剪叉式支撐架,兩個所述剪叉式支撐架上端固定連接在兩塊固定板下表面,兩個所述剪叉式支撐架兩側與兩根伸縮桿下端固定連接,兩個所述剪叉式支撐架下端均固定連接有一塊推板,兩塊所述推板兩側均固定連接有一個滑塊,對應四個所述滑塊位置的四塊支撐板側壁上均開設有一個滑槽,四個所述滑塊遠離兩塊推板的一端延伸至四個滑槽內并滑動連接在四個滑槽內部。
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