[發(fā)明專利]背照式圖像傳感器及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011273183.6
• 申請(qǐng)日: 2020-11-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112397540A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王春林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底具有器件區(qū)和位于所述器件區(qū)外圍的切割道區(qū)；

在所述襯底上依次形成氧化材料層和圖形化的第一掩模層，所述第一掩模層中開(kāi)設(shè)有至少一個(gè)第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口位于所述切割道區(qū)；

執(zhí)行刻蝕工藝，將所述第一掩模層中的圖形復(fù)制至所述氧化材料層中以形成氧化層，并使所述氧化層中位于所述切割道區(qū)的部分具有至少一個(gè)朝向所述襯底延伸的標(biāo)記開(kāi)口，并且在執(zhí)行所述刻蝕工藝時(shí)，所述第一掩模層同時(shí)在所述刻蝕工藝中去除；

以所述標(biāo)記開(kāi)口為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記執(zhí)行光刻工藝，以在所述器件區(qū)的所述氧化層上形成金屬柵格層。

2.如權(quán)利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，在執(zhí)行所述刻蝕工藝時(shí)去除所述第一掩模層的方法包括：

在以所述第一掩模層為掩模刻蝕所述氧化材料層時(shí)，刻蝕所述氧化材料層中暴露于所述第一開(kāi)口的部分，同時(shí)刻蝕去除所述第一掩模層。

3.如權(quán)利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述氧化材料層的材料為氧化硅，所述第一掩模層的材料為氮化硅或氮氧化硅。

4.如權(quán)利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述刻蝕工藝包括干法刻蝕工藝。

5.如權(quán)利要求4所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕的刻蝕氣體為：三氟甲烷和四氟甲烷的混合氣體，所述三氟甲烷氣體和所述四氟甲烷氣體的流量比為1:10～1:1，所述三氟甲烷氣體和所述四氟甲烷氣體的流量為0sccm～500sccm，所述干法刻蝕的刻蝕的溫度為20℃～100℃，刻蝕時(shí)間為0s～300s。

6.如權(quán)利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，在所述襯底上依次形成所述氧化材料層和所述第一掩模層之前，所述方法還包括：在所述襯底上形成高K電介質(zhì)材料層；以及，

在執(zhí)行所述刻蝕工藝之后，所述方法還包括：以所述氧化層為掩模，依次刻蝕所述高K電介質(zhì)材料層和所述襯底，以形成高K電介質(zhì)層，并使所述標(biāo)記開(kāi)口延伸至所述高K電介質(zhì)層和所述襯底中。

7.如權(quán)利要求6所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，刻蝕所述襯底的刻蝕氣體為氯氣和三氯化硼氣體的混合氣體，所述氯氣和所述三氯化硼氣體的流量比在1:50～1:1之間。

8.如權(quán)利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述標(biāo)記開(kāi)口的深度為

9.如權(quán)利要求1所述的背照式圖像傳感器的制造方法，其特征在于，形成所述金屬柵格層的方法包括：

在所述氧化層上形成金屬材料層，所述金屬材料層形成在所述標(biāo)記開(kāi)口內(nèi)以及所述氧化層的頂表面上；

以所述標(biāo)記開(kāi)口為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記執(zhí)行光刻工藝，至少圖形化位于所述器件區(qū)內(nèi)的所述金屬材料層，以形成金屬柵格層。

10.一種背照式圖像傳感器，其特征在于，所述背照式圖像傳感器根據(jù)上述權(quán)利要求1～9任意一項(xiàng)所述的背照式圖像傳感器的制造方法制備而成。