[發(fā)明專利]閃存器件的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011272719.2
• 申請(qǐng)日: 2020-11-12
• 公開（公告）號(hào): CN112201660B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉憲周
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H10B41/30
• 分類號(hào): H10B41/30;H01L21/762;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種閃存器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上依次形成有浮柵氧化層、浮柵層和掩膜層；

形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)自所述掩膜層表面延伸貫穿所述掩膜層、所述浮柵層和所述浮柵氧化層，并延伸至所述襯底中，以在所述襯底中定義出有源區(qū)；

在所述掩膜層以及所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層中具有開口，所述開口暴露出部分所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和部分所述掩膜層；

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕暴露出的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，以形成凹槽，所述凹槽中暴露出所述浮柵氧化層的側(cè)壁、所述浮柵層的側(cè)壁和部分所述有源區(qū)的側(cè)壁，并且所述凹槽的底壁低于所述有源區(qū)的表面；

去除所述圖形化的光刻膠層和所述掩膜層；以及

形成側(cè)墻層，所述側(cè)墻層覆蓋所述凹槽的側(cè)壁，其中，所述側(cè)墻層包括第一側(cè)墻層和第二側(cè)墻層，所述第一側(cè)墻層覆蓋暴露出的所述有源區(qū)的側(cè)壁和所述浮柵氧化層的側(cè)壁，所述第二側(cè)墻層覆蓋所述第一側(cè)墻層并延伸覆蓋所述浮柵層的側(cè)壁，并且所述第二側(cè)墻層的材質(zhì)與所述浮柵層的材質(zhì)相同。

2.如權(quán)利要去1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，形成所述側(cè)墻層的方法包括：

形成第一側(cè)墻層；

對(duì)所述第一側(cè)墻執(zhí)行退火工藝；

形成第二側(cè)墻層。

3.如權(quán)利要求3所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻層的材質(zhì)為氧化硅。

4.如權(quán)利要求3所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述浮柵層和所述第二側(cè)墻層的材質(zhì)為多晶硅。

5.如權(quán)利要去3所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻層通過熱氧化工藝或者原位蒸氣生成工藝形成，所述第二側(cè)墻層通過化學(xué)氣相沉積形成。

6.如權(quán)利要去3所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，對(duì)所述第一側(cè)墻執(zhí)行退火工藝時(shí)，采用的工藝氣體為氧氣、氮?dú)狻⒁谎趸?、氧化氮、二氧化氮和氨氣中的至少一種，采用的退火溫度為700℃～1200℃。

7.如權(quán)利要去1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕暴露出的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法包括：

通過濕法刻蝕工藝刻蝕暴露出的部分厚度的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；以及，

通過干法刻蝕工藝刻蝕暴露出的部分厚度的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，以形成所述凹槽。

8.如權(quán)利要去7所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽的底壁與所述有源區(qū)表面存在高度差，所述高度差為200埃～600埃。

9.如權(quán)利要去1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的材質(zhì)為氮化硅。

10.如權(quán)利要去1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法包括：

依次刻蝕所述掩膜層、所述浮柵氧化層、所述浮柵層和部分厚度的所述襯底，以形成淺溝槽；

在所述淺溝槽中填充隔離層，以形成所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。