[發明專利]一種半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202011271903.5
• 申請日: 2020-11-13
• 公開（公告）號: CN112234105A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 單亞東;謝剛
• 申請（專利權）人: 廣微集成技術（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 劉貽盛

1.一種半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置包括：

襯底；

外延層，形成于襯底表面，所述外延層的上部形成有溝槽，所述溝槽包括至少一位于有源區的第一溝槽和多個位于終端區的第二溝槽，多個所述第二溝槽之間形成有多個二氧化硅臺面結構；

二氧化硅氧化層，形成于所述第二溝槽底部和側壁；

硅介質層，形成于第二溝槽內，并覆蓋在二氧化硅氧化層上；

多晶硅，填充于所述第一溝槽內；

柵氧化層，形成于所述多晶硅與第一溝槽之間；

鈍化層，形成于所述終端區的外延層表面上；

金屬層，形成于所述有源區的外延層及鈍化層表面上。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述二氧化硅臺面結構的寬度為0.1-0.5um。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：多個所述第二溝槽間隔均勻分布于所述終端區中。

4.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

a、于外延層的上部制備溝槽，所述溝槽包括至少一位于有源區的第一溝槽和多個位于終端區的第二溝槽；

b、使用熱氧化法氧化所述第二溝槽底部、側壁和多個第二溝槽之間形成的多個臺面結構，以形成二氧化硅氧化層和二氧化硅臺面結構；

c、在所述第二溝槽內淀積介質層，對介質層進行反刻，并在第二溝槽內殘留部分介質層；

d、在每個第一溝槽的側壁長柵氧化層，然后在第一溝槽中淀積多晶硅，再對多晶硅進行反刻；

e、在有源區和終端區的外延層表面淀積鈍化層，對有源區中的鈍化層進行孔層刻蝕，直至露出外延層；

f、在有源區的外延層及部分鈍化層表面上濺射金屬層。

5.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述步驟a具體包括：

a1、在襯底的外延層上生長一層氧化層，在氧化層上旋涂光刻膠，并對所述氧化層進行曝光，以暴露出終端區和有源區的溝槽刻蝕窗口；

a2、對氧化層上終端區的溝槽刻蝕窗口區域以及對應位置的外延層進行刻蝕，以在終端區的外延層上形成多個第二溝槽；

a3、對氧化層上有源區的溝槽刻蝕窗口區域以及對應位置的外延層進行刻蝕，以在有源區的外延層上形成至少一第一溝槽。

6.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述介質層的組成材料為二氧化硅、氮化硅或多晶硅。

7.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述臺面結構的寬度為0.1-0.5um。