[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)背光模組結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011271036.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112162436B | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳恩果;蔡俊虎;江宗釗;林鑒垚;徐勝;葉蕓;郭太良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 福州大學(xué);閩都創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室 |
| 主分類號(hào): | G02F1/13357 | 分類號(hào): | G02F1/13357;G02B6/00 |
| 代理公司: | 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鴻超;蔡學(xué)俊 |
| 地址: | 350108 福建省福州市*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 量子 背光 模組 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種量子點(diǎn)背光模組結(jié)構(gòu),其特征在于,包括量子點(diǎn)導(dǎo)光板、具有反射罩的陣列光源和空心反射光管,所述量子點(diǎn)導(dǎo)光板由導(dǎo)光板本體區(qū)域以及設(shè)于其側(cè)部或下部的至少一個(gè)量子點(diǎn)區(qū)域組成,所述陣列光源對(duì)應(yīng)設(shè)于量子點(diǎn)導(dǎo)光板的側(cè)邊或下側(cè),所述空心反射光管嵌套于量子點(diǎn)導(dǎo)光板的量子點(diǎn)區(qū)域外周部;陣列光源發(fā)出的光經(jīng)過反射罩的收集,從量子點(diǎn)導(dǎo)光板具有量子點(diǎn)區(qū)域的一側(cè)射入,激發(fā)量子點(diǎn)區(qū)域內(nèi)的量子點(diǎn),被激發(fā)的光隨機(jī)向四周發(fā)射,被激發(fā)的光和光源出射未轉(zhuǎn)化的光經(jīng)過空心反射光管和反射罩的反射再次收集利用,經(jīng)過充分混合后進(jìn)入導(dǎo)光板本體區(qū)域內(nèi)進(jìn)行全反射,直至受到導(dǎo)光板本體區(qū)域上的微結(jié)構(gòu)調(diào)制后出光;根據(jù)陣列光源設(shè)置的位置和數(shù)量不同,在量子點(diǎn)導(dǎo)光板上設(shè)置第一量子點(diǎn)區(qū)域,第二量子點(diǎn)區(qū)域,第三量子點(diǎn)區(qū)域,直至第N量子點(diǎn)區(qū)域,這N個(gè)區(qū)域均設(shè)置于量子點(diǎn)導(dǎo)光板靠近陣列光源一側(cè)的位置,并通過一體化成型與導(dǎo)光板本體區(qū)域組成整體的量子點(diǎn)導(dǎo)光板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種量子點(diǎn)背光模組結(jié)構(gòu),其特征在于,構(gòu)成所述量子點(diǎn)區(qū)域的原材料包括量子點(diǎn)材料、導(dǎo)光板本體母粒材料和輔助擴(kuò)散顆粒,構(gòu)成導(dǎo)光板本體區(qū)域的原材料僅含有導(dǎo)光板本體母粒材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種量子點(diǎn)背光模組結(jié)構(gòu),其特征在于,所述陣列光源采用紫外光源,其波長(zhǎng)范圍在280nm至400nm之間,或采用藍(lán)光光源,其中心波長(zhǎng)在400nm至480nm之間,半峰寬在15nm至55nm之間;光源外部設(shè)置反射罩,且反射罩的開口至少大于光源發(fā)光面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種量子點(diǎn)背光模組結(jié)構(gòu),其特征在于,當(dāng)陣列光源設(shè)置于量子點(diǎn)導(dǎo)光板的側(cè)邊形成側(cè)入式背光結(jié)構(gòu)時(shí),量子點(diǎn)導(dǎo)光板的量子點(diǎn)區(qū)域設(shè)置于量子點(diǎn)導(dǎo)光板靠近陣列光源的側(cè)部,陣列光源與量子點(diǎn)導(dǎo)光板側(cè)部的間距在0.1mm至1mm之間;量子點(diǎn)導(dǎo)光板的厚度在0.2mm到5mm之間,陣列光源的厚度小于或等于量子點(diǎn)導(dǎo)光板的厚度;量子點(diǎn)導(dǎo)光板外嵌套設(shè)置空心反射光管,所述空心反射光管至少覆蓋或超過量子點(diǎn)導(dǎo)光板的量子點(diǎn)區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種量子點(diǎn)背光模組結(jié)構(gòu),其特征在于,當(dāng)陣列光源設(shè)置于量子點(diǎn)導(dǎo)光板的下側(cè)形成直下式背光結(jié)構(gòu)時(shí),量子點(diǎn)導(dǎo)光板的量子點(diǎn)區(qū)域設(shè)置于量子點(diǎn)導(dǎo)光板靠近陣列光源的下部,陣列光源與量子點(diǎn)導(dǎo)光板下部的間距在0.1mm至15mm之間;量子點(diǎn)導(dǎo)光板的厚度在1mm到15mm之間,相鄰兩個(gè)光源的發(fā)光中心間距為10μm到50mm之間;量子點(diǎn)導(dǎo)光板外嵌套設(shè)置空心反射光管,所述空心反射光管至少覆蓋或超過量子點(diǎn)導(dǎo)光板的量子點(diǎn)區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種量子點(diǎn)背光模組結(jié)構(gòu),其特征在于,當(dāng)陣列光源位于量子點(diǎn)導(dǎo)光板側(cè)邊時(shí),導(dǎo)光板本體區(qū)域的底面設(shè)置有微結(jié)構(gòu);當(dāng)陣列光源位于量子點(diǎn)導(dǎo)光板下部時(shí),導(dǎo)光板本體區(qū)域內(nèi)不設(shè)置微結(jié)構(gòu),或根據(jù)勻光要求部分設(shè)置微結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種量子點(diǎn)背光模組結(jié)構(gòu),其特征在于,所述量子點(diǎn)導(dǎo)光板的量子點(diǎn)區(qū)域沿光源法線方向的厚度根據(jù)量子點(diǎn)濃度及其在混合母料中的占比確定;當(dāng)量子點(diǎn)在混合母料中占比較大時(shí),量子點(diǎn)區(qū)域沿光源法線方向的厚度小,而當(dāng)量子點(diǎn)在混合母料中占比較小時(shí),量子點(diǎn)區(qū)域沿光源法線方向的厚度大;其中,量子點(diǎn)在導(dǎo)光板母粒中的比例控制在0.5%到30%之間,紅、綠量子點(diǎn)的含量比例在1:5至1:45之間,且可通過紅綠量子點(diǎn)的比例調(diào)整背光結(jié)構(gòu)出光的白點(diǎn)色坐標(biāo)和色溫。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種量子點(diǎn)背光模組結(jié)構(gòu),其特征在于,導(dǎo)光板本體母粒材料為聚乙烯PE、聚丙烯PP、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN、聚碳酸酯PC、聚丙烯酸甲酯PMA、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA中的一種或幾種;量子點(diǎn)材料為硒化鎘、磷化銦或鈣鈦礦,其以粉末或液體形式存在;輔助擴(kuò)散顆粒的材料為SiO2或TiO2。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
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