[發明專利]一種電光晶體硼鈮酸鉀及其應用有效
| 申請號： | 202011270841.6 | 申請日： | 2020-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN114481321B | 公開（公告）日： | 2023-02-10 |
| 發明（設計）人： | 龍西法;單排;王祖建 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22;C30B9/12;C30B28/04;C30B15/36;C30B28/10;G02F1/00;G02F1/03 |
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| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電光 晶體 硼鈮酸鉀 及其 應用 | ||
1.一種電光晶體硼鈮酸鉀的應用，其特征在于，所述電光晶體硼鈮酸鉀的化學式為K3Nb3B2O12，簡稱KNBO晶體，所述KNBO晶體在室溫時處于正交晶系，P21ma空間群，其晶胞參數為：a=17.506(2) ?， b=15.162(3) ?，c=3.9680(4) ?，α=β=γ=90°；
所述電光晶體硼鈮酸鉀應用于制作電光器件；所述電光器件選自相位調制器、電光Q開關器件、光強調制器、電光偏轉器件。
2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于，所述KNBO晶體為無色透明晶體。
3.根據權利要求1所述的應用，其特征在于，KNBO晶體室溫時電光系數為3.3 pm/V，KNBO晶體的電光系數通過半波電壓法測量獲得，晶體電光系數與半波電壓的關系為公式（1）所示：
（1）
其中，λ為激光波長，n為晶體折射率，d為電極之間的厚度，L為通光方向晶體的長度。
4.根據權利要求1所述的應用，其特征在于，在制作電光器件時，將電光晶體硼鈮酸鉀切割成立方體，沿該電光晶體物理學Z方向施加電場，通光方向垂直于物理學Z方向。
5.根據權利要求4所述的應用，其特征在于，制備所述電光器件的使用波長范圍為300納米至5微米。
6.根據權利要求4所述的應用，其特征在于，在制備電光器件時，將垂直于通光方向的兩端面拋光，并鍍增透膜。
7.根據權利要求6所述的應用，其特征在于，在晶體的Z端表面鍍導電膜。
8.根據權利要求7所述的應用，其特征在于，所述導電膜為金膜、銀膜或銅膜。
9.根據權利要求8所述的應用，其特征在于，鍍所述導電膜和/或增透膜的方式采用離子濺射、真空蒸鍍和涂抹導電膠中的一種或多種。
10.根據權利要求1所述的應用，其特征在于，所述KNBO晶體的制備方法包括：
按照K3Nb3B2O12化學計量比稱取含鉀化合物、含鈮化合物、含硼化合物和助熔劑混合，采用高溫熔鹽法或頂部籽晶法制備得到所述KNBO晶體。
11.根據權利要求10所述的應用，其特征在于，所述高溫熔鹽法制備KNBO晶體包括如下步驟：
按照K3Nb3B2O12化學計量比稱取含鉀化合物、含鈮化合物和含硼化合物，與助熔劑混合，在熔鹽爐內經升溫、熔融、保溫、降溫后，得到所述KNBO晶體；
所述頂部籽晶法制備KNBO晶體包括如下步驟：
按照K3Nb3B2O12化學計量比稱取含鉀化合物、含鈮化合物和含硼化合物，與助熔劑混合，在熔鹽爐內經升溫、熔融、保溫、引入籽晶、降溫、退火后，得到所述KNBO晶體。
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